中芯國際集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱中芯國際，紐約證券交易所：SMI，香港聯(lián)合證券交易所：981)日前宣布已經(jīng)成功開發(fā)0.18微米30伏到40伏高電壓CMOS組件制程技術(shù)。此技術(shù)將使中芯國際有能力為快速成長的移動(dòng)通訊市場(chǎng)，提供一流的0.18微米CMOS高電壓?jiǎn)涡酒琇CD驅(qū)動(dòng)芯片代工服務(wù)。

   “此項(xiàng)最新制程技術(shù)將提供給我們的客戶一套完整具有競(jìng)爭(zhēng)力組件性能，包括1.8伏、5伏及30伏到40伏 CMOS晶體管加MIM(金屬-絕緣體-金屬電容)及OTP(單次寫入)，適用于小面積、低消耗功率單芯片高電壓LCD驅(qū)動(dòng)芯片。我們相信此項(xiàng)成果將使中芯國際在這一關(guān)鍵性的制程技術(shù)領(lǐng)域中進(jìn)入先驅(qū)地位�！敝行緡H內(nèi)存技術(shù)發(fā)展中心資深副總裁李若加先生說，該中心負(fù)責(zé)開發(fā)各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存,閃存,嵌入式閃存,先進(jìn)的可擦寫內(nèi)存智能卡,液晶顯示器高壓驅(qū)動(dòng)芯片,LCOS顯示器芯片,以及CMOS圖像傳感器等。

    該技術(shù)可廣泛應(yīng)用于包括手機(jī)在內(nèi)的移動(dòng)通訊市場(chǎng)，協(xié)助全球及國內(nèi)客戶快速進(jìn)入新一代的LCD驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用市場(chǎng)。