續(xù)流 SiC肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在dv/dt和di/dt值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。

與標(biāo)準(zhǔn)的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá) 60% 的 Eon和30%的Eoff。

或者，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開關(guān)頻率至少40%。較高的開關(guān)頻率有助于縮小無源元件的尺寸，進(jìn)而降低物料清單成本。

Hybrid IGBT直接替代TRENCHSTOP5 IGBT,無需重新設(shè)計,便能使每10 kHz開關(guān)頻率提升0.1%的效率。

產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VQFN-HR-9

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Buck

輸出電壓: 0.4 V to 5.5 V

輸出電流: 1 A

輸出端數(shù)量: 1 Output

最大輸入電壓: 17 V

最小輸入電壓: 3 V

靜態(tài)電流: 8 mA

開關(guān)頻率: 1 MHz, 2.5 MHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: TPS62901

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

輸入電壓: 3 V to 17 V

類型: Step-Down DC-DC converter

商標(biāo): Texas Instruments

關(guān)閉: Shutdown

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: PMIC - Power Management ICs

電源電壓-最小: 3 V

在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫，進(jìn)而可以延長系統(tǒng)壽命。

此產(chǎn)品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設(shè)計之間的另一種選擇，與純硅設(shè)計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統(tǒng)可靠性。

全頻段多頻多模功率放大器可極大降低移動射頻設(shè)備的設(shè)計復(fù)雜度并縮短其開發(fā)周期.

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