無縫地連接IDE外設(shè)如外接硬盤驅(qū)動器和光媒體驅(qū)動器
發(fā)布時間:2021/10/4 20:24:47 訪問次數(shù):570
VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件,它有高數(shù)據(jù)傳輸速率和低功耗,能擴(kuò)展存儲容量,無縫地連接IDE外設(shè)如外接硬盤驅(qū)動器和光媒體驅(qū)動器,用于消費(fèi)類電子和移動設(shè)備.
為了增加存儲容量,需要在設(shè)備間進(jìn)行有效的通信和快速數(shù)據(jù)發(fā)送,這就要求指引OEM制造支持最新通信協(xié)議和連接標(biāo)準(zhǔn)的大容量設(shè)備, VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件則能滿足這方面的要求.
VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件采用低功耗的架構(gòu)和先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,保證在臨界低功耗條件下能夠連接.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.9 V Qg-柵極電荷:89 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:280 S 下降時間:34 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:39 ns 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:51 ns 典型接通延遲時間:11 ns 零件號別名:IRFR7440TRPBF SP001573310 單位重量:330 mg
這種器件包括全范圍的特性如能分離字節(jié),主重置,用于端到端信息通路的郵箱中斷,用于改善制造的和IEEE 1149.1兼容的JTAG接口.
TS432的輸出電壓為1.24V,采用外接電阻橋能調(diào)整到高達(dá)10V,25度C時的工作電流低到60uA,其范圍可達(dá)12mA.
它的精確度能達(dá)到±1%或±0.5%,依據(jù)產(chǎn)品型號而定.它的溫度系數(shù)為100 ppm/°C.TS432對任何的容性負(fù)載都是穩(wěn)定的,能工作在工業(yè)溫度-40到85度C.該器件是SOT23-3L封裝.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件,它有高數(shù)據(jù)傳輸速率和低功耗,能擴(kuò)展存儲容量,無縫地連接IDE外設(shè)如外接硬盤驅(qū)動器和光媒體驅(qū)動器,用于消費(fèi)類電子和移動設(shè)備.
為了增加存儲容量,需要在設(shè)備間進(jìn)行有效的通信和快速數(shù)據(jù)發(fā)送,這就要求指引OEM制造支持最新通信協(xié)議和連接標(biāo)準(zhǔn)的大容量設(shè)備, VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件則能滿足這方面的要求.
VIA Vectro VT6204 USB 2.0到IDE橋接器件采用低功耗的架構(gòu)和先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,保證在臨界低功耗條件下能夠連接.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.9 V Qg-柵極電荷:89 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:280 S 下降時間:34 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:39 ns 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:51 ns 典型接通延遲時間:11 ns 零件號別名:IRFR7440TRPBF SP001573310 單位重量:330 mg
這種器件包括全范圍的特性如能分離字節(jié),主重置,用于端到端信息通路的郵箱中斷,用于改善制造的和IEEE 1149.1兼容的JTAG接口.
TS432的輸出電壓為1.24V,采用外接電阻橋能調(diào)整到高達(dá)10V,25度C時的工作電流低到60uA,其范圍可達(dá)12mA.
它的精確度能達(dá)到±1%或±0.5%,依據(jù)產(chǎn)品型號而定.它的溫度系數(shù)為100 ppm/°C.TS432對任何的容性負(fù)載都是穩(wěn)定的,能工作在工業(yè)溫度-40到85度C.該器件是SOT23-3L封裝.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
熱門點(diǎn)擊
- R&S WinIQSIM2軟件信號生成功能和
- 雙采樣(CDS)和高級雙導(dǎo)光管SiC FET
- PCIe 5.0交換機(jī)能將第四代PCIe互聯(lián)
- 接收器內(nèi)置SPAD(單光子雪崩二極管)和基于
- 陶瓷封裝抑制電路板上安裝時應(yīng)力引起的特性波動
- 觸摸感應(yīng)和語音識別等非接觸式操作方式的單芯片
- 數(shù)據(jù)帶寬和幀率達(dá)到舊款EVK75026評估套
- 3kV版本的特點(diǎn)是開關(guān)和線圈引腳之間的間隙更
- NSiP1042的總線引腳在總線側(cè)受到±5k
- 無縫地連接IDE外設(shè)如外接硬盤驅(qū)動器和光媒體
公網(wǎng)安備44030402000607
