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Integra 100V射頻氮化鎵技術(shù)帶有集成等離子體電離源

發(fā)布時(shí)間:2021/10/5 12:22:49 訪問次數(shù):518

Aston這是一個(gè)創(chuàng)新型原位半導(dǎo)體計(jì)量平臺(tái),帶有集成等離子體電離源。

Aston是半導(dǎo)體生產(chǎn)計(jì)量領(lǐng)域中的一次重大演變,實(shí)現(xiàn)了原位分子過程控制,使現(xiàn)有工廠運(yùn)行更高效,并可推動(dòng)產(chǎn)出提升。

Aston專為半導(dǎo)體生產(chǎn)而設(shè)計(jì),它作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái),可以取代多種傳統(tǒng)工具,并在一系列全面應(yīng)用中提供前所未有的控制水平,包括光刻、電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積、腔室清潔、腔室匹配和消解。

通過Aston,某些應(yīng)用中的單位工藝吞吐量可以提升40%以上,這是一個(gè)很大的改進(jìn)。

制造商:NJR產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSP-8通道數(shù)量:2 Channel電源電壓-最大:14 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1.5 MHzSR - 轉(zhuǎn)換速率 :700 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :5 mV電源電壓-最小:2 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 CIb - 輸入偏流:150 nA工作電源電流:1.2 mA關(guān)閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:85 dB

這種顛覆性技術(shù)將使我們的客戶能夠提供新一代高性能、多千瓦射頻功率解決方案,同時(shí)減少他們的設(shè)計(jì)周期時(shí)間和降低產(chǎn)品成本。

市場(chǎng)首創(chuàng)的Integra 100V射頻氮化鎵技術(shù)將徹底重新定義高功率射頻系統(tǒng)的可能性。

此項(xiàng)技術(shù)與單個(gè)封裝的50V氮化鎵晶體管相比,可以提供約為其兩倍的功率,因此可以去除大量的合成器和相關(guān)的電子電路,從而縮小系統(tǒng)體積,減輕重量和降低成本,同時(shí)提高系統(tǒng)效率。

Integra的首款100V射頻氮化鎵產(chǎn)品是IGN1011S3600,專為航空電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Aston這是一個(gè)創(chuàng)新型原位半導(dǎo)體計(jì)量平臺(tái),帶有集成等離子體電離源。

Aston是半導(dǎo)體生產(chǎn)計(jì)量領(lǐng)域中的一次重大演變,實(shí)現(xiàn)了原位分子過程控制,使現(xiàn)有工廠運(yùn)行更高效,并可推動(dòng)產(chǎn)出提升。

Aston專為半導(dǎo)體生產(chǎn)而設(shè)計(jì),它作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái),可以取代多種傳統(tǒng)工具,并在一系列全面應(yīng)用中提供前所未有的控制水平,包括光刻、電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積、腔室清潔、腔室匹配和消解。

通過Aston,某些應(yīng)用中的單位工藝吞吐量可以提升40%以上,這是一個(gè)很大的改進(jìn)。

制造商:NJR產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSP-8通道數(shù)量:2 Channel電源電壓-最大:14 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1.5 MHzSR - 轉(zhuǎn)換速率 :700 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :5 mV電源電壓-最小:2 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 CIb - 輸入偏流:150 nA工作電源電流:1.2 mA關(guān)閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:85 dB

這種顛覆性技術(shù)將使我們的客戶能夠提供新一代高性能、多千瓦射頻功率解決方案,同時(shí)減少他們的設(shè)計(jì)周期時(shí)間和降低產(chǎn)品成本。

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此項(xiàng)技術(shù)與單個(gè)封裝的50V氮化鎵晶體管相比,可以提供約為其兩倍的功率,因此可以去除大量的合成器和相關(guān)的電子電路,從而縮小系統(tǒng)體積,減輕重量和降低成本,同時(shí)提高系統(tǒng)效率。

Integra的首款100V射頻氮化鎵產(chǎn)品是IGN1011S3600,專為航空電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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