時(shí)鐘頻率和幀脈沖的高密度器件EL5156和EL5157的主要性能
發(fā)布時(shí)間:2021/10/6 14:48:07 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):577
由于不需要中間芯片如CPLD和FPGA而節(jié)約了設(shè)計(jì)成本和工作量.
如果需要基準(zhǔn)的交換或延期功能,高的抖動(dòng)容差意味著設(shè)計(jì)者能選擇低成本的數(shù)字PLL.ZL50073提供三種時(shí)鐘輸入,頻率選擇為8,16,32和64MHz.
其它商用高密度TDM器件僅提供32MHz輸入時(shí)鐘,大大地限制了設(shè)計(jì)者選擇時(shí)序產(chǎn)品.
此外,Zarlink的新的TDM交換是業(yè)界唯一有四個(gè)選擇時(shí)鐘頻率和幀脈沖的高密度器件,給設(shè)計(jì)者提供靈活驅(qū)動(dòng)各種外設(shè)TDM元件或電路.
制造商:GigaDevice產(chǎn)品種類(lèi):NAND閃存安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-8存儲(chǔ)容量:1 Gbit接口類(lèi)型:SPI組織:128 M x 8數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:40 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C速度:120 MHz商標(biāo):GigaDevice有源讀取電流(最大值):40 mA最大時(shí)鐘頻率:120 MHz產(chǎn)品類(lèi)型:NAND Flash子類(lèi)別:Memory & Data Storage
-3dB帶寬300MHz,
轉(zhuǎn)換速率為210V/us,
開(kāi)環(huán)增益50KV/V,
工作電流3.0mA,
SO8和SOT23-5封裝.
EL5156和EL5157的主要性能:
失調(diào)電壓小于1mV,輸入偏壓電流小于0.1uA,
-3dB帶寬630MHz,
轉(zhuǎn)換速率為640V/us,
開(kāi)環(huán)增益63KV/V,
工作電流6.0mA,
SO8和SOT23-5封裝.

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
由于不需要中間芯片如CPLD和FPGA而節(jié)約了設(shè)計(jì)成本和工作量.
如果需要基準(zhǔn)的交換或延期功能,高的抖動(dòng)容差意味著設(shè)計(jì)者能選擇低成本的數(shù)字PLL.ZL50073提供三種時(shí)鐘輸入,頻率選擇為8,16,32和64MHz.
其它商用高密度TDM器件僅提供32MHz輸入時(shí)鐘,大大地限制了設(shè)計(jì)者選擇時(shí)序產(chǎn)品.
此外,Zarlink的新的TDM交換是業(yè)界唯一有四個(gè)選擇時(shí)鐘頻率和幀脈沖的高密度器件,給設(shè)計(jì)者提供靈活驅(qū)動(dòng)各種外設(shè)TDM元件或電路.
制造商:GigaDevice產(chǎn)品種類(lèi):NAND閃存安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-8存儲(chǔ)容量:1 Gbit接口類(lèi)型:SPI組織:128 M x 8數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:40 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C速度:120 MHz商標(biāo):GigaDevice有源讀取電流(最大值):40 mA最大時(shí)鐘頻率:120 MHz產(chǎn)品類(lèi)型:NAND Flash子類(lèi)別:Memory & Data Storage
-3dB帶寬300MHz,
轉(zhuǎn)換速率為210V/us,
開(kāi)環(huán)增益50KV/V,
工作電流3.0mA,
SO8和SOT23-5封裝.
EL5156和EL5157的主要性能:
失調(diào)電壓小于1mV,輸入偏壓電流小于0.1uA,
-3dB帶寬630MHz,
轉(zhuǎn)換速率為640V/us,
開(kāi)環(huán)增益63KV/V,
工作電流6.0mA,
SO8和SOT23-5封裝.

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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