飛行時間(ToF)測距和到達角(AoA)處理厘米級位置精度
發(fā)布時間:2021/10/7 21:28:12 訪問次數(shù):665
極端節(jié)能的UWB交鑰匙MAC 和 PHY 平臺IP產(chǎn)品RivieraWaves™ UWB,這款IP符合IEEE 802.15.4z 標準和 FiRa 聯(lián)盟規(guī)范。RivieraWaves UWB 平臺 IP 通過飛行時間(ToF)測距和到達角 (AoA)處理來提供安全的厘米級位置精度和可靠的位置信息。
全新RivieraWaves UWB 平臺 IP 擴展了 CEVA 用于物聯(lián)網(wǎng)設備的市場領先無線連接 IP 產(chǎn)品組合,非常適合各種超低功耗應用和產(chǎn)品,例如用于精確資產(chǎn)查找的標簽、用于門鎖的安全數(shù)字鑰匙功能,及實時定位服務(RTLS)和支付系統(tǒng)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 137 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 33 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 29 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
零件號別名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1
單位重量: 1.600 g
醫(yī)療級 OH08A 圖像傳感器采用 1/2.5 英寸光學格式以及 1.4 微米 PureCel®Plus-S pixel 技術,在 7.1x4.6 毫米小尺寸封裝內提供 4K/2K 分辨率,是尖端芯片( chip-on-tip )內窺鏡的理想選擇。
OH08B 采用 1/1.8 英寸光學格式,在 8.9x6.3 毫米封裝內提供更大的 2.0 微米 PureCel®Plus-S pixel,并采用豪威科技的 Nyxel 技術,可增強近紅外光譜范圍內的可視化效果。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
極端節(jié)能的UWB交鑰匙MAC 和 PHY 平臺IP產(chǎn)品RivieraWaves™ UWB,這款IP符合IEEE 802.15.4z 標準和 FiRa 聯(lián)盟規(guī)范。RivieraWaves UWB 平臺 IP 通過飛行時間(ToF)測距和到達角 (AoA)處理來提供安全的厘米級位置精度和可靠的位置信息。
全新RivieraWaves UWB 平臺 IP 擴展了 CEVA 用于物聯(lián)網(wǎng)設備的市場領先無線連接 IP 產(chǎn)品組合,非常適合各種超低功耗應用和產(chǎn)品,例如用于精確資產(chǎn)查找的標簽、用于門鎖的安全數(shù)字鑰匙功能,及實時定位服務(RTLS)和支付系統(tǒng)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 137 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 33 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 29 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
零件號別名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1
單位重量: 1.600 g
醫(yī)療級 OH08A 圖像傳感器采用 1/2.5 英寸光學格式以及 1.4 微米 PureCel®Plus-S pixel 技術,在 7.1x4.6 毫米小尺寸封裝內提供 4K/2K 分辨率,是尖端芯片( chip-on-tip )內窺鏡的理想選擇。
OH08B 采用 1/1.8 英寸光學格式,在 8.9x6.3 毫米封裝內提供更大的 2.0 微米 PureCel®Plus-S pixel,并采用豪威科技的 Nyxel 技術,可增強近紅外光譜范圍內的可視化效果。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)