光纖通道存儲局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率為1Gbps或2Gbps.

在今天,這樣的速度對SAN是足夠的,但是,下一代的SAN需要更快的光纖通道傳輸速度,改善互連帶寬以減小和消除瓶頸.為了滿足這一需要,Broadcom的三種新的存儲器件大大地改善了SAN的傳輸性能,從1Gbps和2Gbps過度到5.25Gbps.

BCM8426目標(biāo)用在中檔到高檔存儲陣列,是12端口光纖通道仲裁回路集線器,能配置成連接智能集束盤(iBOD)中的光纖通道硬盤驅(qū)動.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 270 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 15 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

零件號別名: IPB12N6S4H1XT SP000396274 IPB120N06S4H1ATMA1

單位重量: 4 g

該系列中的所有產(chǎn)品具有Broadcom的先進(jìn)診斷功能,稱作活性信號完整性(Active-SI)和活性連接完整性(Active-LI),能把傳輸?shù)墓饫w通道數(shù)據(jù)的物理層和連接層的損傷信號刪除和恢復(fù).

這些器件有內(nèi)置的先進(jìn)診斷功能,存儲網(wǎng)絡(luò)大大地改善了可靠性,實用性和適用性(RAS).

耿氏二極管波導(dǎo)振蕩器，適用于電子對抗、微波無線電系統(tǒng)、商業(yè)通信系統(tǒng)等應(yīng)用。

Pasternack 新型機械可調(diào)諧耿氏二極管波導(dǎo)振蕩器涵蓋波導(dǎo)規(guī)格WR-90、WR-42和WR-28，并支持X、K和Ka波段。

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