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超低電壓Intel®賽揚處理器在片上有兩個高速緩沖存儲器256KB

發(fā)布時間:2021/10/9 22:10:25 訪問次數(shù):394

PIC18FXX8 系列高性能可自編程閃存單片機(帶有一個智能CAN 2.0B有源接口),通過了德國通信及系統(tǒng) (C&S) 組織的測試,證實符合ISO DIS 16845標(biāo)準(zhǔn)。

CAN協(xié)議以ISO DIS 16845為規(guī)范,取得有關(guān)認(rèn)證證明產(chǎn)品在CAN網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的互操作性。

獲得ISO一致性測試認(rèn)證表明了我們致力于推動開放式標(biāo)準(zhǔn)的承諾,以幫助客戶快速、方便地開發(fā)最終產(chǎn)品。Microchip持續(xù)不斷地提供滿足或超過汽車行業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中CAN要求的產(chǎn)品。

通過該項測試,進(jìn)一步加強了我們在這方面的努力成果.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:32 nC 最小工作溫度:- 50 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:39 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI7114DN-T1 單位重量:1 g

和所有Intel嵌入處理器一樣,超低電壓Intel® 賽揚處理器能支持有更長生命周期的產(chǎn)品。

超低電壓Intel® 賽揚處理器和我們的RadiSys*82600芯片組一起能使RadiSys*EPC-6315處理器中間卡每瓦有更吸引人的MIPS。

Intel® 賽揚處理器的引入使EPC-6315能有許多方面的應(yīng)用,滿足客戶的散熱和性能上的要求。

超低電壓Intel® 賽揚處理器在片上有兩個高速緩沖存儲器256KB,支持100MHz處理器邊總線,采用最新的uFCBGA封裝。工作電壓0.95V,溫度范圍從0到100度攝氏。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

PIC18FXX8 系列高性能可自編程閃存單片機(帶有一個智能CAN 2.0B有源接口),通過了德國通信及系統(tǒng) (C&S) 組織的測試,證實符合ISO DIS 16845標(biāo)準(zhǔn)。

CAN協(xié)議以ISO DIS 16845為規(guī)范,取得有關(guān)認(rèn)證證明產(chǎn)品在CAN網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的互操作性。

獲得ISO一致性測試認(rèn)證表明了我們致力于推動開放式標(biāo)準(zhǔn)的承諾,以幫助客戶快速、方便地開發(fā)最終產(chǎn)品。Microchip持續(xù)不斷地提供滿足或超過汽車行業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中CAN要求的產(chǎn)品。

通過該項測試,進(jìn)一步加強了我們在這方面的努力成果.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:32 nC 最小工作溫度:- 50 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:39 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI7114DN-T1 單位重量:1 g

和所有Intel嵌入處理器一樣,超低電壓Intel® 賽揚處理器能支持有更長生命周期的產(chǎn)品。

超低電壓Intel® 賽揚處理器和我們的RadiSys*82600芯片組一起能使RadiSys*EPC-6315處理器中間卡每瓦有更吸引人的MIPS。

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超低電壓Intel® 賽揚處理器在片上有兩個高速緩沖存儲器256KB,支持100MHz處理器邊總線,采用最新的uFCBGA封裝。工作電壓0.95V,溫度范圍從0到100度攝氏。


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