FS8S0765RC型電源開關(guān)(FPS)，這是用于CRT監(jiān)視器回掃電源應(yīng)用的高集成度離線電源開關(guān)。

FS8S0765RC集成了一個具有抗雪崩能力的SenseFET(最小額定擊穿電壓為650V)，帶有初級穩(wěn)壓功能的電流模式PWM IC。

這個獨(dú)特組合能將外部組件減至最少，簡化設(shè)計并降低目標(biāo)應(yīng)用的成本。

汽車電子的表面安裝繼電器FTR-P6，它的體積只有11.8x8.8x10.3mm，它能提供25A的電流，比以前的產(chǎn)品小33%。

它的指標(biāo)包括有額定浪涌電流35A，接點容量14V直流，800mW運(yùn)作，5cm處的聲音噪音為60dB，能工作10萬次。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

封裝: Reel

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: MOSFET

子類別: MOSFETs

單位重量: 4 g

通過使用實際信號進(jìn)行仿真和測試,旨在簡化從射頻設(shè)計到實現(xiàn)的工程流程并提高精度。

新的 R&S VSESIM-VSS 信號創(chuàng)建和分析工具可加快射頻器件的開發(fā)過程，對于無線、汽車、航天國防行業(yè)客戶以及有源器件和系統(tǒng)的生產(chǎn)商尤為有用。

新的無線和衛(wèi)星技術(shù)需要更寬的頻率范圍，涉及的要求也越來越嚴(yán)苛。

使用與后續(xù)硬件測試相同的信號創(chuàng)建方法和分析算法，可以實現(xiàn)從早期設(shè)計階段到實施驗證的直接結(jié)果關(guān)聯(lián)，從而能夠?qū)V泛使用的關(guān)鍵性能指標(biāo)（如誤差矢量幅度EVM）進(jìn)行確鑿且一致的分析。

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