裝在芯膜級(jí)封裝的薄片電池，其能量和尺寸可用戶化，它是專用固態(tài)能量技術(shù)(ASSET)薄膜氧化鋰鈷/氧氮鋰磷可充電電池，適合在IC封裝上或在IC封裝內(nèi)，不需要再外接電池。

固態(tài)電池通常的電壓為3.8V，容量從幾微安時(shí)到幾毫安時(shí)，取決于所需的占位面積和放電電流。

電池總厚度為25微米，在-40度到 +120度溫度間能進(jìn)行大于10000次充放電周期。因?yàn)樗芙?jīng)受住回流焊的溫度，所以能和其它的電子元件一起在大批量制造生產(chǎn)線上表面安裝。

其它的特性還有：可編晶體頻率調(diào)整；可編警戒檢測(cè)；典型輸出功率9dBm；

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:25 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:40 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:SI7892BDP-E3 單位重量:506.600 mg

合成器的頻率分辨率大約為200KHz，有全集成的壓控振蕩器(VCO)。TI的MSP430微控制器中也有代碼可用來(lái)編程該器件。

帶有全集成的壓控振蕩器(VCO)的整數(shù)-N合成器；片上基準(zhǔn)振蕩器和PLL；線性信號(hào)接收強(qiáng)度指示器(RSSI)；三線串行接口；所需的外接元件最少；48引腳小型PQFP封裝。

四通道熱感應(yīng)IC，和外接的熱敏電阻一起，給筆記本電腦，臺(tái)式計(jì)算機(jī)，手持設(shè)備和其它臺(tái)式和手提系統(tǒng)提供熱管理和過(guò)壓監(jiān)視功能。

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