在開關(guān)電源設(shè)計中，實現(xiàn)低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。

而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰(zhàn)性的EMI標(biāo)準(zhǔn)，并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類解決方案相比，在440kHz頻率下，工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。通過減小無源元件的濾波負(fù)載，集成式AEF可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現(xiàn)尺寸更小的低EMI電源設(shè)計。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-5通道數(shù)量:1 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1.5 MHz每個通道的輸出電流:100 mASR - 轉(zhuǎn)換速率 :420 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :4 mV電源電壓-最小:1.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:35 nA工作電源電流:116 uA關(guān)閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:86 dBen - 輸入電壓噪聲密度:50 nV/sqrt Hz系列:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Texas Instruments特點:Small Size高度:1.02 mmIn—輸入噪聲電流密度:0.07 pA/sqrt Hz輸入類型:Rail-to-Rail長度:2.92 mm工作電源電壓:3 V輸出類型:Rail-to-Rail產(chǎn)品:Operational Amplifiers產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:70 dB3000子類別:Amplifier ICs電源類型:Single技術(shù):BiCMOS電壓增益 dB:113 dB寬度:1.6 mm單位重量:6.300 mg

通過AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。

新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。

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