意法半導(dǎo)體 800V STPOWER MDmesh K6系列， 為這種超級結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場領(lǐng)先的能效于一身新的新設(shè)計(jì)。

此外，K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅(qū)動，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機(jī)應(yīng)用�？倴艠O電荷 (Qg) 也非常低，可以實(shí)現(xiàn)高開關(guān)速度和低損耗。

芯片上集成一個ESD保護(hù)二極管,將MOSFET的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:360 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV Qg-柵極電荷:0.72 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:420 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Nexperia 配置:Single 下降時間:4 ns 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間:9 ns 典型接通延遲時間:2 ns 零件號別名:934064988215 單位重量:8 mg

與傳統(tǒng)解決方案相比，SCALE-2 ASIC技術(shù)顯著減少了元件數(shù)量

提高了開關(guān)效率

退飽和檢測和高級有源鉗位(AAC)在短路期間提供安全關(guān)斷

雙面涂覆三防漆，可在典型的惡劣牽引環(huán)境中防止污染物

在原方與副方之間提供3300V加強(qiáng)絕緣

提供老化測試選項(xiàng)

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）