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電阻器RA和RB將被監(jiān)測電壓(V IN)標(biāo)稱值帶入DAC范圍內(nèi)

發(fā)布時間:2021/11/16 20:55:36 訪問次數(shù):449

電源監(jiān)控的一種常見方法是檢測控制回路內(nèi)的故障方向,以便正確調(diào)節(jié)電源。讓我們使用 DAC53608 10 位 DAC 和 TLV1701 雙比較器來說明這個簡單的設(shè)計。

該設(shè)計需要來自每個監(jiān)控電路的兩個觸發(fā)輸出.兩個DAC通道獨立生成高閾值電壓和低閾值電壓.電阻器 RA 和 RB 將被監(jiān)測電壓 (V IN )的標(biāo)稱值帶入 DAC 的范圍內(nèi)。

此處最好使用開漏比較器,以便在處理電路的輸入/輸出電壓電平處生成觸發(fā)信號。當(dāng)衰減輸入電壓超過 V TH-HI 時,輸出 V ALARM-HI變低。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104.2 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 7 ns

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 7.5 ns

系列: CoolMOS CFD2

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 45 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: SP000745032 IPB65R31CFDXT IPB65R310CFDATMA1

單位重量: 4 g

TCPP01-M12 和 TCPP02-M18 BCD IC是獨立的Power Sink和Power Source(供電和受電)解決方案。

像意法半導(dǎo)體的所有 TCPP 產(chǎn)品一樣,TCPP03-M20 符合 USB-C PD 規(guī)范 3.1 標(biāo)準(zhǔn)功率范圍 (SPR) 的最新功能,包括 PPS(可編程電源)。

STM32 Nucleo擴展板X-NUCLEO-DRP1M1和X-CUBE-TCPP STM32Cube擴展軟件以及應(yīng)用代碼示例現(xiàn)已上市,有助于加快基于TCPP03-M20 的高達100WDRP 應(yīng)用項目的開發(fā)。

TCPP03-M20現(xiàn)已投產(chǎn),采用 4mm x 4mm VFQFPN20 封裝。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

電源監(jiān)控的一種常見方法是檢測控制回路內(nèi)的故障方向,以便正確調(diào)節(jié)電源。讓我們使用 DAC53608 10 位 DAC 和 TLV1701 雙比較器來說明這個簡單的設(shè)計。

該設(shè)計需要來自每個監(jiān)控電路的兩個觸發(fā)輸出.兩個DAC通道獨立生成高閾值電壓和低閾值電壓.電阻器 RA 和 RB 將被監(jiān)測電壓 (V IN )的標(biāo)稱值帶入 DAC 的范圍內(nèi)。

此處最好使用開漏比較器,以便在處理電路的輸入/輸出電壓電平處生成觸發(fā)信號。當(dāng)衰減輸入電壓超過 V TH-HI 時,輸出 V ALARM-HI變低。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104.2 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 7 ns

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 7.5 ns

系列: CoolMOS CFD2

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 45 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: SP000745032 IPB65R31CFDXT IPB65R310CFDATMA1

單位重量: 4 g

TCPP01-M12 和 TCPP02-M18 BCD IC是獨立的Power Sink和Power Source(供電和受電)解決方案。

像意法半導(dǎo)體的所有 TCPP 產(chǎn)品一樣,TCPP03-M20 符合 USB-C PD 規(guī)范 3.1 標(biāo)準(zhǔn)功率范圍 (SPR) 的最新功能,包括 PPS(可編程電源)。

STM32 Nucleo擴展板X-NUCLEO-DRP1M1和X-CUBE-TCPP STM32Cube擴展軟件以及應(yīng)用代碼示例現(xiàn)已上市,有助于加快基于TCPP03-M20 的高達100WDRP 應(yīng)用項目的開發(fā)。

TCPP03-M20現(xiàn)已投產(chǎn),采用 4mm x 4mm VFQFPN20 封裝。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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