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PN結(jié)反向電流和亞閾值電流高側(cè)充電/放電FET電池保護(hù)

發(fā)布時(shí)間:2021/11/16 22:47:09 訪問次數(shù):185

全新IC的高集成度簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)周期并顯著降低客戶系統(tǒng)BOM成本,將設(shè)計(jì)和BOM選擇周期從數(shù)月縮短至數(shù)周。這些IC還內(nèi)置自診斷功能,從而提高了其安全功能,減少固件工作量,減輕為滿足安全標(biāo)準(zhǔn)所需的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

芯片電路的功耗主要來自兩方面:動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動(dòng)態(tài)功耗主要是電容的充放電和短路電流。靜態(tài)功耗主要是漏電流,包括PN結(jié)反向電流和亞閾值電流,以及穿透電流。如果工作時(shí)序及軟件算法設(shè)計(jì)有缺陷,會(huì)降低系統(tǒng)工作效率、延長(zhǎng)工作時(shí)間,也會(huì)直接增加系統(tǒng)能量的消耗。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 總線收發(fā)器

RoHS:  詳細(xì)信息

邏輯系列: 74ALVCH

輸入電平: LVTTL

輸出電平: LVTTL

輸出類型: 3-State

高電平輸出電流: - 24 mA

低電平輸出電流: 24 mA

傳播延遲時(shí)間: 4.8 ns

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 1.65 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝 / 箱體: SSOP-56

封裝: Reel

商標(biāo): Texas Instruments

功能: Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

長(zhǎng)度: 18.41 mm

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

通道數(shù)量: 16

電路數(shù)量: 2

工作電源電壓: 1.65 V to 3.6 V

RAA489206的關(guān)鍵特性

16串電芯電壓測(cè)量

內(nèi)部(10mA)和外部(200mA)電芯平衡選項(xiàng)

工作電壓范圍為12-55V,電壓測(cè)量精度為+/-10mV

最多可減少20cm2電路板面積

低側(cè)電流感應(yīng)測(cè)量

高側(cè)充電/放電FET電池保護(hù)

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

全新IC的高集成度簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)周期并顯著降低客戶系統(tǒng)BOM成本,將設(shè)計(jì)和BOM選擇周期從數(shù)月縮短至數(shù)周。這些IC還內(nèi)置自診斷功能,從而提高了其安全功能,減少固件工作量,減輕為滿足安全標(biāo)準(zhǔn)所需的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

芯片電路的功耗主要來自兩方面:動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動(dòng)態(tài)功耗主要是電容的充放電和短路電流。靜態(tài)功耗主要是漏電流,包括PN結(jié)反向電流和亞閾值電流,以及穿透電流。如果工作時(shí)序及軟件算法設(shè)計(jì)有缺陷,會(huì)降低系統(tǒng)工作效率、延長(zhǎng)工作時(shí)間,也會(huì)直接增加系統(tǒng)能量的消耗。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 總線收發(fā)器

RoHS:  詳細(xì)信息

邏輯系列: 74ALVCH

輸入電平: LVTTL

輸出電平: LVTTL

輸出類型: 3-State

高電平輸出電流: - 24 mA

低電平輸出電流: 24 mA

傳播延遲時(shí)間: 4.8 ns

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 1.65 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝 / 箱體: SSOP-56

封裝: Reel

商標(biāo): Texas Instruments

功能: Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

長(zhǎng)度: 18.41 mm

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

通道數(shù)量: 16

電路數(shù)量: 2

工作電源電壓: 1.65 V to 3.6 V

RAA489206的關(guān)鍵特性

16串電芯電壓測(cè)量

內(nèi)部(10mA)和外部(200mA)電芯平衡選項(xiàng)

工作電壓范圍為12-55V,電壓測(cè)量精度為+/-10mV

最多可減少20cm2電路板面積

低側(cè)電流感應(yīng)測(cè)量

高側(cè)充電/放電FET電池保護(hù)

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