高瞬態(tài)電流尖峰Rambus在DDR5內(nèi)存接口產(chǎn)品保持最新力證
發(fā)布時間:2021/11/18 23:13:34 訪問次數(shù):224
在自由空氣對流冷卻環(huán)境下,AEA1000F能夠在長達3000ms的時間內(nèi)提供330%峰值功率,能夠出色的響應(yīng)最新的工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備市場需求。
現(xiàn)在,工業(yè)應(yīng)用需要高效且能夠在各種環(huán)境中以較高的安全性工作的電源。AEA1000F已通過EN62477-1三類過電壓(OVC Ⅲ)認證,這意味著由該產(chǎn)品供電的最終設(shè)備可以直接連到主配電板,而不用增加額外的隔離。
這簡化了系統(tǒng)設(shè)計人員的工作難度,降低了成本,保證了效率。
第二代寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)將DDR5數(shù)據(jù)速率提高17%,同時降低延時和功耗.
RCD是DDR5服務(wù)器DIMM的關(guān)鍵賦能部件,提供了下一代數(shù)據(jù)中心所需的帶寬和容量。實現(xiàn)5600MT/s數(shù)據(jù)傳輸速率是Rambus在DDR5內(nèi)存接口產(chǎn)品領(lǐng)域保持領(lǐng)先的最新力證。
與DDR4相比,DDR5內(nèi)存在DIMM中內(nèi)置更多智能功能,可將數(shù)據(jù)傳輸速率提高一倍,容量提升至四倍,同時還降低了功耗、提高了內(nèi)存效率。Rambus內(nèi)存接口芯片是下一代服務(wù)器實現(xiàn)全新性能水平的關(guān)鍵。

這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求,也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。
電感器封裝采用100 %無鉛(Pb)屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),蜂鳴噪聲降至超低水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機械振動能力,可無飽和處理高瞬態(tài)電流尖峰。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
在自由空氣對流冷卻環(huán)境下,AEA1000F能夠在長達3000ms的時間內(nèi)提供330%峰值功率,能夠出色的響應(yīng)最新的工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備市場需求。
現(xiàn)在,工業(yè)應(yīng)用需要高效且能夠在各種環(huán)境中以較高的安全性工作的電源。AEA1000F已通過EN62477-1三類過電壓(OVC Ⅲ)認證,這意味著由該產(chǎn)品供電的最終設(shè)備可以直接連到主配電板,而不用增加額外的隔離。
這簡化了系統(tǒng)設(shè)計人員的工作難度,降低了成本,保證了效率。
第二代寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)將DDR5數(shù)據(jù)速率提高17%,同時降低延時和功耗.
RCD是DDR5服務(wù)器DIMM的關(guān)鍵賦能部件,提供了下一代數(shù)據(jù)中心所需的帶寬和容量。實現(xiàn)5600MT/s數(shù)據(jù)傳輸速率是Rambus在DDR5內(nèi)存接口產(chǎn)品領(lǐng)域保持領(lǐng)先的最新力證。
與DDR4相比,DDR5內(nèi)存在DIMM中內(nèi)置更多智能功能,可將數(shù)據(jù)傳輸速率提高一倍,容量提升至四倍,同時還降低了功耗、提高了內(nèi)存效率。Rambus內(nèi)存接口芯片是下一代服務(wù)器實現(xiàn)全新性能水平的關(guān)鍵。

這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求,也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。
電感器封裝采用100 %無鉛(Pb)屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),蜂鳴噪聲降至超低水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機械振動能力,可無飽和處理高瞬態(tài)電流尖峰。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
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