每個(gè)HAR 3927傳感器包含兩個(gè)獨(dú)立運(yùn)行的堆疊芯片。芯片間達(dá)到最小移位且被相同的磁力線穿透。HAR 3927使用的磁鐵要比雙芯片并排的方案小得多。

該傳感器具有兩種不同的輸出格式和多達(dá)33個(gè)標(biāo)定點(diǎn)的輸出信號(hào)（17個(gè)可變或33個(gè)固定標(biāo)定點(diǎn)）的線性化模塊。

HAR 3927的多種配置選項(xiàng)讓客戶在開發(fā)過程中實(shí)現(xiàn)更高的靈活性，一個(gè)傳感器可用于多種應(yīng)用，無需再認(rèn)證，節(jié)約了成本和工作量。

Vishay IHLP電感器封裝采用100 %無鉛（Pb）一體成型屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu)，噪聲降至非常低的水平,具有高抗熱沖擊、耐潮濕、抗機(jī)械振動(dòng)能力，可無飽和處理高瞬態(tài)變電流尖峰。

以小型SOIC8 SMD封裝為汽車和工業(yè)高安全要求應(yīng)用提供卓越的角度測(cè)量和冗余功能。

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵器件的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的功率和3倍的充電速度。

這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了正在申請(qǐng)專利的無損耗電流感應(yīng)能力。與前幾代產(chǎn)品相比，GaNSense 技術(shù)可額外提高10%的節(jié)能效果，并能夠進(jìn)一步減少外部元件數(shù)量，縮小系統(tǒng)的尺寸。

此外，如果氮化鎵功率芯片識(shí)別到有潛在的系統(tǒng)危險(xiǎn)，該芯片將迅速過渡到逐個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護(hù)器件和周圍系統(tǒng)。