單片微波集成電路(MMIC)和分立晶體管降低了電流消耗
發(fā)布時(shí)間:2021/12/7 13:22:35 訪問(wèn)次數(shù):323
WCDMA/HSDPA 功率放大器 (PA) – RF3267 和 RF6266,從而擴(kuò)展其在公開市場(chǎng)上的 3G 前沿產(chǎn)品系列。新推出的高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器旨在支持下一代多頻段、多模式3G手機(jī)和智能電話的關(guān)鍵需求。
根據(jù)當(dāng)前客戶預(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)活動(dòng),RFMD預(yù)計(jì)RF3267和RF6266將在本季開始批量發(fā)貨。
RFMD的RF3267是1頻段(1920至 1980 MHz)、具有數(shù)控低功率模式的WCDMA/HSDPA 功率放大器,允許高達(dá) 19dBm 工作,降低了電流消耗。
NZ10150和WZ10150最大亮度分別可達(dá)95lm和120lm,平均亮度分別為80lm和105lm,Z1系列由具有高熱導(dǎo)率的陶瓷制成,裝有大型發(fā)光板,以便客戶能夠輕松控制燈的熱度。這些特點(diǎn)使 Z1 能夠在高溫下更長(zhǎng)時(shí)間發(fā)出強(qiáng)光,具有更高的可靠性,非常適用于室內(nèi)和室外照明及家用器具的照明設(shè)計(jì)。
高亮度 LED,Z1 的厚度僅 1.2 毫米,像一張信用卡的厚度。因此,Z1 是各種小體積產(chǎn)品的最佳選擇,緊隨時(shí)代潮流。Z1可用于各種照明領(lǐng)域。其中,最典型的應(yīng)用領(lǐng)域在于用顯示屏替代安裝于如冰箱和櫥柜等狹小部位的板燈,以及安全燈和用于裝飾的嵌燈等。
頻率最高可達(dá)20千兆赫(GHz)的新款單片微波集成電路(MMIC)和分立晶體管。這些器件同時(shí)具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子戰(zhàn)、衛(wèi)星通信、商業(yè)和國(guó)防雷達(dá)系統(tǒng)及測(cè)試設(shè)備等應(yīng)用提供了新的性能水平。
與所有Microchip的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣,新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造,提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合,可在高壓下運(yùn)行,255℃結(jié)溫下使用壽命超過(guò)100萬(wàn)小時(shí)。
這些產(chǎn)品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz、3dB壓縮點(diǎn)(P3dB)射頻輸出功率高達(dá)20W、效率高達(dá)25%的12至20GHz的氮化鎵MMIC.
(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
WCDMA/HSDPA 功率放大器 (PA) – RF3267 和 RF6266,從而擴(kuò)展其在公開市場(chǎng)上的 3G 前沿產(chǎn)品系列。新推出的高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器旨在支持下一代多頻段、多模式3G手機(jī)和智能電話的關(guān)鍵需求。
根據(jù)當(dāng)前客戶預(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)活動(dòng),RFMD預(yù)計(jì)RF3267和RF6266將在本季開始批量發(fā)貨。
RFMD的RF3267是1頻段(1920至 1980 MHz)、具有數(shù)控低功率模式的WCDMA/HSDPA 功率放大器,允許高達(dá) 19dBm 工作,降低了電流消耗。
NZ10150和WZ10150最大亮度分別可達(dá)95lm和120lm,平均亮度分別為80lm和105lm,Z1系列由具有高熱導(dǎo)率的陶瓷制成,裝有大型發(fā)光板,以便客戶能夠輕松控制燈的熱度。這些特點(diǎn)使 Z1 能夠在高溫下更長(zhǎng)時(shí)間發(fā)出強(qiáng)光,具有更高的可靠性,非常適用于室內(nèi)和室外照明及家用器具的照明設(shè)計(jì)。
高亮度 LED,Z1 的厚度僅 1.2 毫米,像一張信用卡的厚度。因此,Z1 是各種小體積產(chǎn)品的最佳選擇,緊隨時(shí)代潮流。Z1可用于各種照明領(lǐng)域。其中,最典型的應(yīng)用領(lǐng)域在于用顯示屏替代安裝于如冰箱和櫥柜等狹小部位的板燈,以及安全燈和用于裝飾的嵌燈等。
頻率最高可達(dá)20千兆赫(GHz)的新款單片微波集成電路(MMIC)和分立晶體管。這些器件同時(shí)具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子戰(zhàn)、衛(wèi)星通信、商業(yè)和國(guó)防雷達(dá)系統(tǒng)及測(cè)試設(shè)備等應(yīng)用提供了新的性能水平。
與所有Microchip的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣,新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造,提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合,可在高壓下運(yùn)行,255℃結(jié)溫下使用壽命超過(guò)100萬(wàn)小時(shí)。
這些產(chǎn)品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz、3dB壓縮點(diǎn)(P3dB)射頻輸出功率高達(dá)20W、效率高達(dá)25%的12至20GHz的氮化鎵MMIC.
(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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