超薄高效MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，一款20V P溝道PowerTrench MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。

相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿(mǎn)足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。

FDMA1027和FDFMA2P853采用無(wú)鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對(duì)無(wú)鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均滿(mǎn)足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS) 的要求。

32.768K的時(shí)鐘晶體來(lái)做時(shí)鐘，而不是通過(guò)單片機(jī)的晶體分頻來(lái)做時(shí)鐘，其中原因想必很多人也不明白，其實(shí)上這是和晶體的穩(wěn)定度有關(guān)：頻率越高的晶體，Q值一般難以做高，頻率穩(wěn)定度也比較差；而 32.768K晶體在穩(wěn)定度等各方面的性能表現(xiàn)都不錯(cuò)，還形成了一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，比較容易做高。

另外值得一提的是，32.768K是16 bit數(shù)據(jù)的一半，預(yù)留最高1 bit進(jìn)位標(biāo)志，用作定時(shí)計(jì)數(shù)器內(nèi)部數(shù)字計(jì)算處理也非常方便。

承受輸入到輸出4000VAC電壓，輸入到地1500VAC電壓，輸出到地500VAC�？晒ぷ髟�90---264VAC通用輸入，功率因子典型值是0.98.其它特性還包括PFD，遠(yuǎn)程抑制，遠(yuǎn)程傳感，過(guò)壓，過(guò)流和熱保護(hù)。器件在0°C---+50°C環(huán)境溫度，可以滿(mǎn)負(fù)載工作。

+50°C---+70°C開(kāi)始從額定100%線性降低到50%。該系列具有高可靠性，以滿(mǎn)負(fù)載25°C環(huán)境每 MIL-HDBK-217F 具有300000小時(shí)最小MTBF。

TM650系列符合EN60601-1-2 EMC標(biāo)準(zhǔn),包括EN55011 (class B導(dǎo)電, class A輻射),EN61000-3-2 class A與D,EN61000-4-2,EN61000-4-3,EN61000-4-5,EN61000-4-11。

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