模塊DP數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)、長發(fā)故障的判斷,讀取監(jiān)控電源的狀態(tài),通道燈的狀態(tài)顯示等基本由硬件邏輯完成。

硬件可編程邏輯器件選用Xilinx公司性價(jià)比相對(duì)較高的spartan-6系列的xc6slx9器件，它具有5720個(gè)LUT（查找表），9152個(gè)L（C邏輯單元），11440個(gè)FK觸發(fā)器），32個(gè)BlockRAM（18KbEach）,最大用戶引腳102個(gè)，144-pinTQFP封裝。

HVV0405-175 高電壓垂直場效應(yīng)電晶體（HVVFET）適用于 UHF 頻帶的雷達(dá)應(yīng)用。

UHF HVVFET 在額定輸出功率和工作電壓下，在整個(gè)頻帶和所有相位下能經(jīng)受住相當(dāng)于20：1 VSWR的輸出負(fù)載失配,從而提升系統(tǒng)可靠性。

HVV0405-175 的性能超過雙級(jí)和 LDMOS 晶體管，可讓設(shè)計(jì)師取消功率放大器（PA）中的放大級(jí)，減少零件數(shù)并降低 PCB 空間需求。HVVFET 技術(shù)中高級(jí)別的耐用性和可靠性還可讓設(shè)計(jì)師取消大體積高成本的隔離器，從而減小系統(tǒng)的體積和重量。

通過設(shè)置底座上的終端電阻，在下級(jí)DP總線網(wǎng)絡(luò)中可作中間節(jié)點(diǎn)，也可作末端節(jié)點(diǎn)。

Symwave(芯微技術(shù))發(fā)布符合USB3.0規(guī)范的物理層(PHY)解決方案。并首次在加州圣荷西舉行的超高速USB開發(fā)會(huì)議(SuperSpeed USB Developer Conference)中，以超高速5Gbps進(jìn)行現(xiàn)場展示，較目前速度最快的USB裝置速度提升了十倍。

在此會(huì)議中,也同時(shí)首次公開發(fā)行最新的1.0版規(guī)范。SuperSpeed USB可與目前已出貨超過100億個(gè)USB設(shè)備向下兼容,不但能提升高達(dá)10倍的傳輸速度,同時(shí)還能提高功耗效能。