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SiSM671芯片組的低功耗DRAM技術(shù)和產(chǎn)品工藝的開發(fā)

發(fā)布時間:2021/12/5 23:11:10 訪問次數(shù):1038

SiSM671/968 /307DV芯片組,支持Intel® Atom 230最新節(jié)能處理器,并被Dell采用,成功開發(fā)出瘦型客戶機(jī)OptiPlex FX160。

結(jié)合SiSM671芯片組的低功耗且毋需風(fēng)扇特性,新設(shè)計(jì)完成的Dell OptiPlex FX160機(jī)種,可讓企業(yè)使用者充分享受無噪音的使用環(huán)境并共同響應(yīng)節(jié)能減碳的活動。

在機(jī)殼設(shè)計(jì)上采用輕量化的網(wǎng)狀鋁合金材質(zhì),并藉由鋁金屬的高導(dǎo)熱性,大幅提升機(jī)箱內(nèi)部散熱功效,使系統(tǒng)能長時間保持在低溫及低噪音的工作狀態(tài)。

OXPCIe200 PCI Express多端口橋接。OXPCIe200象征著業(yè)界首款多端口器件,從而為設(shè)計(jì)人員提供PCIe橋接的廣泛選擇,能夠共同或獨(dú)立的將子系統(tǒng)連接到基于PCIe的系統(tǒng)。

OXPCIe200定位于工業(yè)控制、PC外圍,ExpressCard模塊、POS終端、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和嵌入式設(shè)計(jì)的橋接、器件控制和IO擴(kuò)展需求,提供這些基于PCIe系統(tǒng)的橋接電源所需的交互處理器通信和器件控制。

作為第一款單芯片PCIe終端到USB 2.0 Host、SPI和SRAM的解決方案,這一高集成度器件提供高達(dá)62.5Mbytes/s數(shù)據(jù)吞吐率,卻能節(jié)約3——6個月開發(fā)時間。

Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解決方案通過了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平臺的驗(yàn)證。

通過Intel驗(yàn)證程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于臺式PC機(jī)的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模塊。

全新經(jīng)驗(yàn)證的DDR3解決方案基于高級50nm工藝和去年9月開發(fā)的2Gb存儲器件。

Samsung與Intel密切的合作已經(jīng)推動其最高級的DRAM技術(shù)和產(chǎn)品工藝的開發(fā),從而能夠顯著改善系統(tǒng)系統(tǒng),并滿足快速入市的需求。


(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

SiSM671/968 /307DV芯片組,支持Intel® Atom 230最新節(jié)能處理器,并被Dell采用,成功開發(fā)出瘦型客戶機(jī)OptiPlex FX160。

結(jié)合SiSM671芯片組的低功耗且毋需風(fēng)扇特性,新設(shè)計(jì)完成的Dell OptiPlex FX160機(jī)種,可讓企業(yè)使用者充分享受無噪音的使用環(huán)境并共同響應(yīng)節(jié)能減碳的活動。

在機(jī)殼設(shè)計(jì)上采用輕量化的網(wǎng)狀鋁合金材質(zhì),并藉由鋁金屬的高導(dǎo)熱性,大幅提升機(jī)箱內(nèi)部散熱功效,使系統(tǒng)能長時間保持在低溫及低噪音的工作狀態(tài)。

OXPCIe200 PCI Express多端口橋接。OXPCIe200象征著業(yè)界首款多端口器件,從而為設(shè)計(jì)人員提供PCIe橋接的廣泛選擇,能夠共同或獨(dú)立的將子系統(tǒng)連接到基于PCIe的系統(tǒng)。

OXPCIe200定位于工業(yè)控制、PC外圍,ExpressCard模塊、POS終端、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和嵌入式設(shè)計(jì)的橋接、器件控制和IO擴(kuò)展需求,提供這些基于PCIe系統(tǒng)的橋接電源所需的交互處理器通信和器件控制。

作為第一款單芯片PCIe終端到USB 2.0 Host、SPI和SRAM的解決方案,這一高集成度器件提供高達(dá)62.5Mbytes/s數(shù)據(jù)吞吐率,卻能節(jié)約3——6個月開發(fā)時間。

Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解決方案通過了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平臺的驗(yàn)證。

通過Intel驗(yàn)證程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于臺式PC機(jī)的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模塊。

全新經(jīng)驗(yàn)證的DDR3解決方案基于高級50nm工藝和去年9月開發(fā)的2Gb存儲器件。

Samsung與Intel密切的合作已經(jīng)推動其最高級的DRAM技術(shù)和產(chǎn)品工藝的開發(fā),從而能夠顯著改善系統(tǒng)系統(tǒng),并滿足快速入市的需求。


(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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