2x16 DMA通路和專用的DMA信號處理電路構(gòu)成了邏輯芯片
發(fā)布時間:2021/12/17 17:57:38 訪問次數(shù):1001
1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬頻帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7。
近年來，手機(jī)和汽車導(dǎo)航等能接收1SEG信號的產(chǎn)品在不斷增加。由于終端接收信號靈敏度不足，所以需要具有高增益/高線性/低噪聲的高性能LNA。新日本無線株式會社為滿足這種市場需求開發(fā)了NJG1134HA8,而1SEG信號接收用LNA GaAs MMIC NJG1129MD7則是為了滿足市場所求的更高靈敏度。
NJG1129MD7可支持470～770MHz的帶寬，并且通過采用W-CDMA用LNA的設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)了15dB（典型值，@ f=470～770MHz）的增益（而NJG1134HA8的則為10dB（典型值，@ f=470～770MHz）。
器件支持DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和高達(dá)32位ECC的SLC/MLC NAND 閃存儲器.設(shè)計用于支持物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn),可穿戴設(shè)備,電器或工業(yè)設(shè)備等各種應(yīng)用.
（傳統(tǒng)的）堆疊式 CMOS 圖像傳感器的堆疊式結(jié)構(gòu)中，背照式像素組成的像素芯片堆疊在邏輯芯片之上，而信號處理電路構(gòu)成了邏輯芯片。
單臂長度L接近于1/4入射波波長，寬度較窄,當(dāng)分支之一被特定極化的雷達(dá)波束照射時，表面將產(chǎn)生感應(yīng)電流，因?qū)w上電流的連續(xù)性，另一分支也將激勵起電流并產(chǎn)生交叉極化的散射場。在保持振子L型金屬導(dǎo)帶基本結(jié)構(gòu)不變的情況下，在分支中嵌入貼片電感，成功縮短了單臂尺寸。
為了更大程度增強(qiáng)目標(biāo)的交叉極化響應(yīng)，本文提出了一種L型縫隙貼片的設(shè)計，即在正方形金屬貼片上開L型縫隙。
新的堆疊技術(shù)支持采用可以獨(dú)立優(yōu)化光電二極管和像素晶體管層的架構(gòu)，從而使飽和信號量相比于傳統(tǒng)圖像傳感器增加約一倍，進(jìn)而擴(kuò)大動態(tài)范圍。
1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬頻帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7。
近年來，手機(jī)和汽車導(dǎo)航等能接收1SEG信號的產(chǎn)品在不斷增加。由于終端接收信號靈敏度不足，所以需要具有高增益/高線性/低噪聲的高性能LNA。新日本無線株式會社為滿足這種市場需求開發(fā)了NJG1134HA8,而1SEG信號接收用LNA GaAs MMIC NJG1129MD7則是為了滿足市場所求的更高靈敏度。
NJG1129MD7可支持470～770MHz的帶寬，并且通過采用W-CDMA用LNA的設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)了15dB（典型值，@ f=470～770MHz）的增益（而NJG1134HA8的則為10dB（典型值，@ f=470～770MHz）。
器件支持DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和高達(dá)32位ECC的SLC/MLC NAND 閃存儲器.設(shè)計用于支持物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn),可穿戴設(shè)備,電器或工業(yè)設(shè)備等各種應(yīng)用.
（傳統(tǒng)的）堆疊式 CMOS 圖像傳感器的堆疊式結(jié)構(gòu)中，背照式像素組成的像素芯片堆疊在邏輯芯片之上，而信號處理電路構(gòu)成了邏輯芯片。
單臂長度L接近于1/4入射波波長，寬度較窄,當(dāng)分支之一被特定極化的雷達(dá)波束照射時，表面將產(chǎn)生感應(yīng)電流，因?qū)w上電流的連續(xù)性，另一分支也將激勵起電流并產(chǎn)生交叉極化的散射場。在保持振子L型金屬導(dǎo)帶基本結(jié)構(gòu)不變的情況下，在分支中嵌入貼片電感，成功縮短了單臂尺寸。
為了更大程度增強(qiáng)目標(biāo)的交叉極化響應(yīng)，本文提出了一種L型縫隙貼片的設(shè)計，即在正方形金屬貼片上開L型縫隙。
新的堆疊技術(shù)支持采用可以獨(dú)立優(yōu)化光電二極管和像素晶體管層的架構(gòu)，從而使飽和信號量相比于傳統(tǒng)圖像傳感器增加約一倍，進(jìn)而擴(kuò)大動態(tài)范圍。
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