定頻方式定電流控制也比磁滯控制不隨輸入電壓增加25%
發(fā)布時(shí)間:2021/12/28 18:20:17 訪問次數(shù):686
肖特基二極管在 6 A 和 20 A、+125度時(shí)最大典型正向壓降低于 0.54 V(對(duì)于 45 V 器件),在 10 A 和 20 A 時(shí)最大典型正向壓降低于 0.65 V(對(duì)于 100 V 器件)。
45V二極管在+125度時(shí)反向漏電流為3mA和7mA,而100V二極管為4mA,且參數(shù)分布非常緊湊。這些器件提供優(yōu)化的VF與IR權(quán)衡,可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
45V和100V器件分別具有57V和118V的典型穩(wěn)定高擊穿電壓,可適應(yīng)電壓峰值并優(yōu)化功率密度,在這些二極管中,功率密度均增加了25%。
RAA78815x產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性
±5000V的EFT抗擾度
±16000V的ESD抗擾度
在Rd=54Ω負(fù)載中,具有3.1V電壓(典型值)
低至125μA的總線泄露電流、550μA的電源泄露電流,和70nA的關(guān)斷電流
超小型3mm x 5mm MSOP及6mm x 8.6mm SOIC封裝
LED照明應(yīng)用驅(qū)動(dòng)IC-RT84XX系列,有別于市面上多采用磁滯控制的降壓型LED驅(qū)動(dòng)器IC,立锜全系列產(chǎn)品采用定頻定電流控制,使電感值的減少維持為磁滯控制的三分之一,而定頻方式定電流控制也比磁滯控制不隨輸入電壓及電流的變化導(dǎo)致LED預(yù)定電流的精確度變差。
立锜針對(duì)不同的LED照明應(yīng)用提出不同的降壓、升壓及升降壓的LED解決方案。
得益于PXI/PXIe平臺(tái)模塊化和可擴(kuò)展的特點(diǎn),我們的新款41-752A和43-752A系列模塊可以和我們的其他PXI開關(guān)和仿真模塊一起使用,包括高壓開關(guān)、故障注入、熱電偶仿真和熱電阻(RTD)仿真等。
(素材來源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
肖特基二極管在 6 A 和 20 A、+125度時(shí)最大典型正向壓降低于 0.54 V(對(duì)于 45 V 器件),在 10 A 和 20 A 時(shí)最大典型正向壓降低于 0.65 V(對(duì)于 100 V 器件)。
45V二極管在+125度時(shí)反向漏電流為3mA和7mA,而100V二極管為4mA,且參數(shù)分布非常緊湊。這些器件提供優(yōu)化的VF與IR權(quán)衡,可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
45V和100V器件分別具有57V和118V的典型穩(wěn)定高擊穿電壓,可適應(yīng)電壓峰值并優(yōu)化功率密度,在這些二極管中,功率密度均增加了25%。
RAA78815x產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性
±5000V的EFT抗擾度
±16000V的ESD抗擾度
在Rd=54Ω負(fù)載中,具有3.1V電壓(典型值)
低至125μA的總線泄露電流、550μA的電源泄露電流,和70nA的關(guān)斷電流
超小型3mm x 5mm MSOP及6mm x 8.6mm SOIC封裝
LED照明應(yīng)用驅(qū)動(dòng)IC-RT84XX系列,有別于市面上多采用磁滯控制的降壓型LED驅(qū)動(dòng)器IC,立锜全系列產(chǎn)品采用定頻定電流控制,使電感值的減少維持為磁滯控制的三分之一,而定頻方式定電流控制也比磁滯控制不隨輸入電壓及電流的變化導(dǎo)致LED預(yù)定電流的精確度變差。
立锜針對(duì)不同的LED照明應(yīng)用提出不同的降壓、升壓及升降壓的LED解決方案。
得益于I/Ie平臺(tái)模塊化和可擴(kuò)展的特點(diǎn),我們的新款41-752A和43-752A系列模塊可以和我們的其他I開關(guān)和仿真模塊一起使用,包括高壓開關(guān)、故障注入、熱電偶仿真和熱電阻(RTD)仿真等。
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