NovalithIC系列在一個封裝內(nèi)集成了3個獨立芯片：P溝道MOSFET（高側(cè)）、N溝道MOSFET（低側(cè)）和采用半橋配置的驅(qū)動器IC。

功率開關(guān)采用垂直MOS技術(shù)，可獲得最佳的通態(tài)電阻。

P溝道高側(cè)開關(guān)意味著無需采用電荷泵，將提升EMC性能。邏輯電平輸入、診斷功能、轉(zhuǎn)換率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間生成等集成功能和各種保護功能可確保輕松與微控制器連接。NovalithIC模塊也可采用H橋配置或驅(qū)動三相電機。

互調(diào)儀主要參數(shù)如下:

測試端口輸出功率:(默認值連續(xù)波)典型2*50dBm

測試模式:點頻模式、掃頻模式、時域模式

系統(tǒng)自身互調(diào):≤-168dBc

系統(tǒng)底噪:≤-135dBm

測量精度:±1.5dB @ -110dBm標(biāo)準(zhǔn)信號參考值

不確定度:≤±3.8dB (符合IEC62037標(biāo)準(zhǔn))

動態(tài)范圍:75 dB,typical

測試范圍:-55～-130dBm(-98～-173dBc)

測試端口:DIN-F

顯示及控制:RS-232/LAN網(wǎng)口 (內(nèi)置顯示器和觸摸屏)

當(dāng) MN 移動到新的網(wǎng)絡(luò)中時，會收到 NAR 的代理路由公告 PrRtAdv。

節(jié)點根據(jù)其子網(wǎng)地址和 MN 的接口自動配置得到 NCoA。為了避免在同一鏈路中多個 MN 同時進行DAD 可能造成的網(wǎng)絡(luò)阻塞，通常都需要等待一段隨機時間(0~1 000 ms) 后才開始 DAD。

隨后 MN 通過鄰居請求消息向NAR 請求執(zhí)行重復(fù)地址檢測 DAD，NAR 收到鄰居請求消息后，對 MN 的 NLCoA 進行檢測過程。如果在開始后的一段時間內(nèi)未收到已占用此地址的主機發(fā)出的鄰居公告，則 DAD檢測過程結(jié)束，MN 可以使用該地址接入子網(wǎng)。如果檢測不成功，則需要重新配置。

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