TLD5542-1是內(nèi)置了保護(hù)特性和SPI接口的同步MOSFET H橋DC/DC控制器.這種概念有助驅(qū)動(dòng)大功率LED,具有最大的系統(tǒng)效率和最低數(shù)量的外接元件.器件提供模擬和數(shù)字(PWM)兩種調(diào)光.開關(guān)頻率在200kHz和700kHz間可調(diào)整,并能和外部時(shí)鐘源同步.

內(nèi)置的可編擴(kuò)頻開關(guān)頻率調(diào)制和強(qiáng)迫連續(xù)電流調(diào)整模式改善了整個(gè)EMC性能.此外,有少數(shù)外接補(bǔ)償元件所維持的電流模式穩(wěn)定方案提供穩(wěn)定的調(diào)整回路.

可調(diào)軟起動(dòng)特性限制電流峰值和起動(dòng)時(shí)電壓過沖值.LED電流精度+/-3%.

單信道nRF24AP2-1CH，以及8信道nRF24AP2-8CH單片無線傳感器網(wǎng)絡(luò)IC廣泛地適用于簡(jiǎn)單無線傳感的應(yīng)用。據(jù)報(bào)道，在小型電池?zé)o線傳感的應(yīng)用中，使用該芯片可延長(zhǎng)電池壽命25%。

這些器件與多個(gè)廠商的ANT兼容，工作頻率2.4-GHz，具有杰出的抗干擾能力，增強(qiáng)型的ANT協(xié)議棧。這些器件還有用于超低延遲的掃描通道，例如，遙控，改進(jìn)的頻道搜索，頻道ID管理，以及新型的頻率捷變。

這樣，在額定電流、額定電壓輸入時(shí)，電流電壓差動(dòng)輸入電壓有效值分別在0.1V以及0.5V左右。

增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。

在電壓和電流的釆集電路中,為了得到ATT7022能夠處理的小信號(hào),本設(shè)計(jì)引入了互感器。

ATT7022的電流電壓輸入范圍是。〜1V（有效值），所以應(yīng)選擇的互感器是1.5V/5mA精度0.1級(jí)，電壓互感器規(guī)格則選擇220V/0.5V。

(素材來源：21ic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）