SiC晶圓產(chǎn)線需要從6英寸硅基晶圓生產(chǎn)線改造切換
發(fā)布時(shí)間:2022/1/19 13:28:47 訪問(wèn)次數(shù):618
比亞迪半導(dǎo)體在晶圓產(chǎn)能利用率不充分的情況下,使用委托代工、外購(gòu)功率模塊晶圓。
主要有以下幾點(diǎn)原因:
IGBT芯片技術(shù)迭代,從2.5代到4.0代芯片的切換過(guò)程中,需要一定的周期;
SiC晶圓產(chǎn)線需要從6英寸硅基晶圓生產(chǎn)線改造切換過(guò)來(lái),同樣需要一定的周期;
早期車(chē)型的部分中低壓功率模塊未完成自研,需通過(guò)外購(gòu)補(bǔ)齊;
部分月份產(chǎn)能不足、生產(chǎn)人員儲(chǔ)備不足。因此,功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能最終也不會(huì)形成100%的自供,但是整體趨勢(shì)上,將自身產(chǎn)能完全利用是必要的,需要避免產(chǎn)線因閑置而有所浪費(fèi)。
Altera實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)的第一個(gè)采用90-nm工藝、低k絕緣材料的高密度、高性能FPGA。
經(jīng)過(guò)由業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)可的基準(zhǔn)測(cè)試方法測(cè)試表明,Stratix II系列與其性能最接近的Xilinx Virtex-4器件相比,速度平均快39%。
這些新的 2.5代產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電視、照明基礎(chǔ)設(shè)施、快速充電器、適配器、PC 電源和工業(yè)電源等產(chǎn)品和應(yīng)用。它們也非常適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?/span>
近期,韓國(guó)電視制造商通過(guò)發(fā)布高端機(jī)型來(lái)刺激需求,預(yù)計(jì)隨著高端電視市場(chǎng)的增長(zhǎng),對(duì) MOSFET 的需求將大幅增加。

由于車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體對(duì)汽車(chē)的安全性和功能性起到至關(guān)重要的作用,下游整車(chē)廠商對(duì)于產(chǎn)品的可靠性、一致性、安全性、穩(wěn)定性和長(zhǎng)效性要求較高,整體的研發(fā)周期也較長(zhǎng),半導(dǎo)體企業(yè)需要較長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累和經(jīng)驗(yàn)沉淀才能實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,因此形成了較高的技術(shù)壁壘。
這種新型存儲(chǔ)器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機(jī)、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號(hào)處理系統(tǒng)的性能。
比亞迪半導(dǎo)體在晶圓產(chǎn)能利用率不充分的情況下,使用委托代工、外購(gòu)功率模塊晶圓。
主要有以下幾點(diǎn)原因:
IGBT芯片技術(shù)迭代,從2.5代到4.0代芯片的切換過(guò)程中,需要一定的周期;
SiC晶圓產(chǎn)線需要從6英寸硅基晶圓生產(chǎn)線改造切換過(guò)來(lái),同樣需要一定的周期;
早期車(chē)型的部分中低壓功率模塊未完成自研,需通過(guò)外購(gòu)補(bǔ)齊;
部分月份產(chǎn)能不足、生產(chǎn)人員儲(chǔ)備不足。因此,功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能最終也不會(huì)形成100%的自供,但是整體趨勢(shì)上,將自身產(chǎn)能完全利用是必要的,需要避免產(chǎn)線因閑置而有所浪費(fèi)。
Altera實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)的第一個(gè)采用90-nm工藝、低k絕緣材料的高密度、高性能FPGA。
經(jīng)過(guò)由業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)可的基準(zhǔn)測(cè)試方法測(cè)試表明,Stratix II系列與其性能最接近的Xilinx Virtex-4器件相比,速度平均快39%。
這些新的 2.5代產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電視、照明基礎(chǔ)設(shè)施、快速充電器、適配器、PC 電源和工業(yè)電源等產(chǎn)品和應(yīng)用。它們也非常適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?/span>
近期,韓國(guó)電視制造商通過(guò)發(fā)布高端機(jī)型來(lái)刺激需求,預(yù)計(jì)隨著高端電視市場(chǎng)的增長(zhǎng),對(duì) MOSFET 的需求將大幅增加。

由于車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體對(duì)汽車(chē)的安全性和功能性起到至關(guān)重要的作用,下游整車(chē)廠商對(duì)于產(chǎn)品的可靠性、一致性、安全性、穩(wěn)定性和長(zhǎng)效性要求較高,整體的研發(fā)周期也較長(zhǎng),半導(dǎo)體企業(yè)需要較長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累和經(jīng)驗(yàn)沉淀才能實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,因此形成了較高的技術(shù)壁壘。
這種新型存儲(chǔ)器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機(jī)、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號(hào)處理系統(tǒng)的性能。
熱門(mén)點(diǎn)擊
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- 彈丸目標(biāo)RCS的起伏變化導(dǎo)致信號(hào)幅度較明顯側(cè)
- 產(chǎn)品組合替代現(xiàn)有LVDS6或8位單通道或雙通
- 39dBm連續(xù)波信號(hào)150毫米和200毫米S
- 40位寬通道提供典型的CPU緩存行大小總的數(shù)
推薦技術(shù)資料
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