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RJ45連接器的10/100BaseT LAN模塊調(diào)試ZigBee應(yīng)用產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2022/2/3 17:33:56 訪問次數(shù):839

Nano Socket LAN工作在工業(yè)溫度范圍-40度~85度,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),LAN到WiFi橋接—采用RMII與現(xiàn)有MAC硬件直接連接,在WiFi上進(jìn)行LAN透明橋接.

Nano Socket iWiFi是一個(gè)集成的WiFi天線的802.11b/g嵌入式WiFi模塊。Nano Socket LAN是一個(gè)集成了RJ45連接器的10/100BaseT LAN模塊。兩模塊共用一個(gè)端頭引腳,設(shè)計(jì)解決方案時(shí)允許客戶降低裝配成本和增加靈活性。

PPP接口到蜂窩調(diào)制解調(diào)器,是在LAN或WiFi上進(jìn)行透明連接而不會(huì)改變應(yīng)用或驅(qū)動(dòng)器.

EM300提供低至400nA的最低休眠電流,這是市場(chǎng)上任何ZigBee系統(tǒng)都無法比擬的。

開發(fā)者可以充分利用EmberZNet PRO聯(lián)網(wǎng)庫的優(yōu)勢(shì)來整合短暫的喚醒周期,以及提供優(yōu)化喚醒休眠周期的板載時(shí)鐘來節(jié)省電力。

采用Ember的InSight(TM) Development Environment 融合了適用于ARM處理器的龐大工具生態(tài)系統(tǒng),開發(fā)人員可以迅速開發(fā)和調(diào)試ZigBee應(yīng)用產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在最具挑戰(zhàn)性的無線環(huán)境下具有更好和更安全的性能表現(xiàn)。

Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8腳SOIC封裝,其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲(NoDelay) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。

與串行閃存或串行EEPROM不同,F(xiàn)M25V10以總線速度執(zhí)行寫操作,無寫入延遲,且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM,F(xiàn)M25V10的耐用性高出8個(gè)數(shù)量級(jí)以上,所消耗的有效功率卻不到其十分之一。


(素材來源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)

Nano Socket LAN工作在工業(yè)溫度范圍-40度~85度,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),LAN到WiFi橋接—采用RMII與現(xiàn)有MAC硬件直接連接,在WiFi上進(jìn)行LAN透明橋接.

Nano Socket iWiFi是一個(gè)集成的WiFi天線的802.11b/g嵌入式WiFi模塊。Nano Socket LAN是一個(gè)集成了RJ45連接器的10/100BaseT LAN模塊。兩模塊共用一個(gè)端頭引腳,設(shè)計(jì)解決方案時(shí)允許客戶降低裝配成本和增加靈活性。

PPP接口到蜂窩調(diào)制解調(diào)器,是在LAN或WiFi上進(jìn)行透明連接而不會(huì)改變應(yīng)用或驅(qū)動(dòng)器.

EM300提供低至400nA的最低休眠電流,這是市場(chǎng)上任何ZigBee系統(tǒng)都無法比擬的。

開發(fā)者可以充分利用EmberZNet PRO聯(lián)網(wǎng)庫的優(yōu)勢(shì)來整合短暫的喚醒周期,以及提供優(yōu)化喚醒休眠周期的板載時(shí)鐘來節(jié)省電力。

采用Ember的InSight(TM) Development Environment 融合了適用于ARM處理器的龐大工具生態(tài)系統(tǒng),開發(fā)人員可以迅速開發(fā)和調(diào)試ZigBee應(yīng)用產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在最具挑戰(zhàn)性的無線環(huán)境下具有更好和更安全的性能表現(xiàn)。

Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8腳SOIC封裝,其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲(NoDelay) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。

與串行閃存或串行EEPROM不同,F(xiàn)M25V10以總線速度執(zhí)行寫操作,無寫入延遲,且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM,F(xiàn)M25V10的耐用性高出8個(gè)數(shù)量級(jí)以上,所消耗的有效功率卻不到其十分之一。


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