硅晶圓堆疊技術(shù)低壓驗(yàn)電器電壓測(cè)試范圍60~500Ⅴ
發(fā)布時(shí)間:2022/3/4 12:51:02 訪問次數(shù):465
新一代IPU產(chǎn)品Bow,這是其第三代IPU系統(tǒng),發(fā)布即面向客戶發(fā)貨。
與上一代IPU相比,Bow IPU性能提升40% ,能耗比提升了16%,電源效率也提升16%。
值得注意的是,這一次Bow IPU的性能提升并非主要依賴采用更先進(jìn)的制程,Bow IPU采用了和上一代IPU相同的臺(tái)積電7nm,通過采用和臺(tái)積電共同開發(fā)的先進(jìn)硅晶圓堆疊技術(shù)(3D Wafer-on-Wafer)達(dá)到性能和能耗比的提升。
Bow作為世界首款3D WoW處理器,證明了芯片性能提升的范式從先進(jìn)制程向先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)移的可行性。
驗(yàn)電器的使用方法 低壓驗(yàn)電器(電筆)使用時(shí),正確的握筆方法,手指觸及其尾部金屬體,氖管背光朝向使用者,以便驗(yàn)電時(shí)觀察氖管輝光情況。當(dāng)被測(cè)帶電體與大地之間的電位差超過60V時(shí),用電筆測(cè)試帶電體,電筆中的氖管就會(huì)發(fā)光。低壓驗(yàn)電器電壓測(cè)試范圍是60~500Ⅴ。
高壓驗(yàn)電器使用時(shí),應(yīng)特別注意的是,手握部位不得超過護(hù)環(huán),還應(yīng)戴好絕緣手套。
驗(yàn)電時(shí)應(yīng)將電筆逐漸靠近被測(cè)體,直至氖管發(fā)光。只有在氖管不發(fā)光并采取防護(hù)措施后,才能與被測(cè)物體直接接觸。
內(nèi)部空氣系統(tǒng)覆蓋除了通過氣路的主氣流之外的所有發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部空氣流,任務(wù)是內(nèi)部封嚴(yán),壓力平衡和內(nèi)部冷卻。注意到所有的內(nèi)部空氣流是從主氣流中提取的。
在燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)階段的一項(xiàng)重要考慮是保證發(fā)動(dòng)機(jī)的某些零件以及某些附件吸收的熱量不能達(dá)到危及其安全工作的程度。需要冷卻的主要區(qū)域是燃燒室和渦輪。冷卻空氣用它還可以通過I2C寄存器提供工作和故障狀態(tài)。
新一代IPU產(chǎn)品Bow,這是其第三代IPU系統(tǒng),發(fā)布即面向客戶發(fā)貨。
與上一代IPU相比,Bow IPU性能提升40% ,能耗比提升了16%,電源效率也提升16%。
值得注意的是,這一次Bow IPU的性能提升并非主要依賴采用更先進(jìn)的制程,Bow IPU采用了和上一代IPU相同的臺(tái)積電7nm,通過采用和臺(tái)積電共同開發(fā)的先進(jìn)硅晶圓堆疊技術(shù)(3D Wafer-on-Wafer)達(dá)到性能和能耗比的提升。
Bow作為世界首款3D WoW處理器,證明了芯片性能提升的范式從先進(jìn)制程向先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)移的可行性。
驗(yàn)電器的使用方法 低壓驗(yàn)電器(電筆)使用時(shí),正確的握筆方法,手指觸及其尾部金屬體,氖管背光朝向使用者,以便驗(yàn)電時(shí)觀察氖管輝光情況。當(dāng)被測(cè)帶電體與大地之間的電位差超過60V時(shí),用電筆測(cè)試帶電體,電筆中的氖管就會(huì)發(fā)光。低壓驗(yàn)電器電壓測(cè)試范圍是60~500Ⅴ。
高壓驗(yàn)電器使用時(shí),應(yīng)特別注意的是,手握部位不得超過護(hù)環(huán),還應(yīng)戴好絕緣手套。
驗(yàn)電時(shí)應(yīng)將電筆逐漸靠近被測(cè)體,直至氖管發(fā)光。只有在氖管不發(fā)光并采取防護(hù)措施后,才能與被測(cè)物體直接接觸。
內(nèi)部空氣系統(tǒng)覆蓋除了通過氣路的主氣流之外的所有發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部空氣流,任務(wù)是內(nèi)部封嚴(yán),壓力平衡和內(nèi)部冷卻。注意到所有的內(nèi)部空氣流是從主氣流中提取的。
在燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)階段的一項(xiàng)重要考慮是保證發(fā)動(dòng)機(jī)的某些零件以及某些附件吸收的熱量不能達(dá)到危及其安全工作的程度。需要冷卻的主要區(qū)域是燃燒室和渦輪。冷卻空氣用它還可以通過I2C寄存器提供工作和故障狀態(tài)。
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