功率MOSFET在工藝上從10微米制程縮減至0.15-0.35微米
發(fā)布時(shí)間:2022/3/9 8:43:43 訪問(wèn)次數(shù):118
對(duì)于功率MOSFET而言,隨著社會(huì)電氣化程度的不斷提高,技術(shù)驅(qū)動(dòng)的性能提升主要體現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)、高功率密度以及低功耗三個(gè)方向。
對(duì)應(yīng)的,功率MOSFET在工藝上從10微米制程縮減至0.15-0.35微米,結(jié)構(gòu)上從平面、溝槽再到超級(jí)結(jié),材料上則發(fā)展到了碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體,這一切也都是為了實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。
自動(dòng)駕駛汽車(chē)技術(shù)部門(mén)Mobileye已秘密提交文件,準(zhǔn)備在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO),估值可能超過(guò)500億美元。
轉(zhuǎn)速表的使用轉(zhuǎn)速表是用來(lái)測(cè)量電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速和線速度的儀表。使用時(shí)應(yīng)使轉(zhuǎn)速表的測(cè)試軸與被測(cè)軸中心在同一水平線上,表頭與轉(zhuǎn)軸頂住。測(cè)量時(shí)手要平穩(wěn),用力合適,要避免滑動(dòng)丟轉(zhuǎn),造成測(cè)量誤差。
轉(zhuǎn)速表在使用時(shí),若對(duì)欲測(cè)轉(zhuǎn)速心中無(wú)數(shù),量程選擇應(yīng)由高到低,逐擋減小,直到合適為止。不允許用低速擋測(cè)量高速,以免損壞表頭。
儀表的維護(hù)保養(yǎng)在搬動(dòng)和使用儀表時(shí),不得撞擊和震動(dòng),應(yīng)輕拿輕放,以保證儀表測(cè)量的準(zhǔn)為提高測(cè)量值的準(zhǔn)確度,被測(cè)導(dǎo)線應(yīng)置于鐵芯中央。

這時(shí)原動(dòng)機(jī)輸人的機(jī)械功率Pi全部補(bǔ)償空載損耗夕0,沒(méi)有多余的部分轉(zhuǎn)化為電磁功率,所以ε=0,PM=0。加大勵(lì)磁電流,使E0=U,這時(shí)電機(jī)輸出滯后的感性電流,產(chǎn)生去磁效應(yīng),以保持電網(wǎng)電壓不變。這一電流是無(wú)功電流,有功電流仍為零.
與無(wú)窮大電網(wǎng)并聯(lián)時(shí)有功功率的調(diào)節(jié),空載運(yùn)行,負(fù)載運(yùn)行,功角特性.
對(duì)于功率MOSFET而言,隨著社會(huì)電氣化程度的不斷提高,技術(shù)驅(qū)動(dòng)的性能提升主要體現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)、高功率密度以及低功耗三個(gè)方向。
對(duì)應(yīng)的,功率MOSFET在工藝上從10微米制程縮減至0.15-0.35微米,結(jié)構(gòu)上從平面、溝槽再到超級(jí)結(jié),材料上則發(fā)展到了碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體,這一切也都是為了實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。
自動(dòng)駕駛汽車(chē)技術(shù)部門(mén)Mobileye已秘密提交文件,準(zhǔn)備在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO),估值可能超過(guò)500億美元。
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與無(wú)窮大電網(wǎng)并聯(lián)時(shí)有功功率的調(diào)節(jié),空載運(yùn)行,負(fù)載運(yùn)行,功角特性.
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