全新的PCM120T系列屏蔽型SMT功率電感器。 PCM電感器專門經(jīng)過優(yōu)化，非常適合高飽和電流和低直流電阻的應(yīng)用。

其中PCM120T系列可提供介于0.4μH至10μH的14種電感值，飽和電流最大可達(dá)80A，具體視電感值L而定。新元件具有諸多特點(diǎn)和優(yōu)勢，比如：采用金屬合金磁芯以獲得優(yōu)異的飽和特性；采用扁平繞組結(jié)構(gòu)最大限度降低損耗，具有0.72mΩ (0.4 μH) 至 9mΩ (10μH) 的低電阻值 (RDC)；外殼采用屏蔽的密封磁芯,無外部氣隙，電感周圍具有非常出色的EMC性能；引線框架結(jié)構(gòu)，非常適合自動焊點(diǎn)AOI檢測，并且實(shí)現(xiàn)了<0.1mm的共面性；

絕緣性能良好的金屬合金磁芯，可承受高壓脈沖（滿足ISO7636標(biāo)準(zhǔn)）。

與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和SiC的工作電壓更高、開關(guān)速度更快、導(dǎo)通電阻更低，因此在能效方面可以做到超越。

雖然都是寬禁帶器件，但GaN和SiC的器件特性也有著明顯的差異，其中SiC的工作電壓要比GaN高得多，因此更適用于高壓的應(yīng)用中，譬如汽車和工業(yè)等大功率系統(tǒng)設(shè)備中；而GaN的開關(guān)頻率要更快，因此更適合快充、射頻開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域，例如一些小型化的電源適配器等、射頻開關(guān)等。

借助SiC和GaN這類寬禁帶器件，可以在傳統(tǒng)拓?fù)渖蠈?shí)現(xiàn)更簡單和高效的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)層面上整體的成本降低，實(shí)現(xiàn)小型化和輕量化。

以支持NVIDIA新芯片的大規(guī)模CoWoS封裝。

NVIDIA新一代計(jì)算芯片,基于新的Hopper架構(gòu),也是第一款基于多芯片模塊設(shè)計(jì)(MCM)的GPU,將采用臺積電5nm工藝制造和CoWoS先進(jìn)封裝,支持HBM2e內(nèi)存和其他連接特性。

Blackwell架構(gòu)的下一代HPC芯片，可能會采用臺積電HPC專用的N4X工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行試生產(chǎn)的，但仍有待觀察，AMD也采用了CoWoS技術(shù)封裝其大部分HPC和服務(wù)器芯片，同時(shí)將其部分產(chǎn)品通過日月光的FOEB 2.5D IC解決方案進(jìn)行封裝，以降低成本。