光刻機(jī)的架構(gòu)及技術(shù)很復(fù)雜，不過(guò)決定光刻機(jī)分辨率的主要因素就是三點(diǎn)，分別是常數(shù)K、光源波長(zhǎng)及物鏡的數(shù)值孔徑，波長(zhǎng)越短，分辨率就越高，現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是極紫外光EUV，波長(zhǎng)13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進(jìn)工藝工藝。

開(kāi)發(fā)制造芯片的光刻機(jī)，而且號(hào)稱要達(dá)到EUV級(jí)別，但技術(shù)原理完全不同，他們研發(fā)的是基于同步加速器和/或等離子體源”的無(wú)掩模X射線光刻機(jī)。

X射線光刻機(jī)使用的是X射線，波長(zhǎng)介于0.01nm到10nm之間，比EUV極紫外光還要短，因此光刻分辨率要高很多。X射線光刻機(jī)相比現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)，那就是不需要光掩模版，可以直寫光刻。

這種傳感器的常用構(gòu)造方法包括將鉑絲繞在玻璃或陶瓷骨架上，或使用鉑薄膜制造。

由于鉑溫度傳感器的廣泛應(yīng)用和可互換性需求，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) DIN EN 60751 (2008) 詳細(xì)定義了鉑溫度傳感器的電氣特性。該標(biāo)準(zhǔn)包含電阻-溫度表格、容差、曲線和溫度范圍。

環(huán)路中的位置接口向控制器提供轉(zhuǎn)速和位置信息。對(duì)于裝配微型表貼PCB的裝配機(jī)器來(lái)說(shuō)，這些數(shù)據(jù)是其正常運(yùn)行的關(guān)鍵。這些應(yīng)用都需要獲取關(guān)于旋轉(zhuǎn)對(duì)象的準(zhǔn)確位置測(cè)量信息。

位置傳感器的分辨率必須非常高,足以準(zhǔn)確檢測(cè)電機(jī)軸的位置，拿取對(duì)應(yīng)的微型組件，并將組件放置到板上的對(duì)應(yīng)位置.此外，電機(jī)轉(zhuǎn)速越高，所需的環(huán)路帶寬越高，延遲越低。