1700V耐壓的碳化硅之后，高度集成的InnoSwitch IC可將整個(gè)電源的元件數(shù)量減少多達(dá)50%，大量節(jié)省了電路板空間�，F(xiàn)在我們能以更少的元件來做應(yīng)急電源的設(shè)計(jì)，這將大幅提高汽車的安全性和系統(tǒng)的可靠性。

與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,碳化硅MOSFET具有耐高溫、耐腐蝕、導(dǎo)熱快、強(qiáng)度高、硬度高、耐磨性好、抗熱抗震性好、導(dǎo)熱系數(shù)大，以及抗氧化性好等優(yōu)勝功能.碳化硅MOSFET適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍,同時(shí)具備單極型器件的卓越開關(guān)性能。

雖然都是寬禁帶器件，但GaN和SiC的器件特性也有著明顯的差異，其中SiC的工作電壓要比GaN高得多，因此更適用于高壓的應(yīng)用中，譬如汽車和工業(yè)等大功率系統(tǒng)設(shè)備中；而GaN的開關(guān)頻率要更快，因此更適合快充、射頻開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域，例如一些小型化的電源適配器等、射頻開關(guān)等。

碳化硅器件能以硅器件數(shù)倍的速度進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)頻率越高，電感和電容等儲(chǔ)能和濾波部件就越容易實(shí)現(xiàn)小型化；電能損失降低，發(fā)熱量就會(huì)相應(yīng)減少，因此可以實(shí)現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換器的小型化。

并勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)電樞回路串電阻二級(jí)啟動(dòng)控制線路,合上電源開關(guān)QS,時(shí)問繼電器KT1、K”得電動(dòng)作,其常閉觸點(diǎn)斷開,切斷KM2、KM3電路,保證啟動(dòng)時(shí)串入電阻R1、R2。

按下啟動(dòng)按鈕SB1,接觸器KM1得電動(dòng)作,并勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)電樞反接法正反轉(zhuǎn)控制電路。

若要使電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn),先按下停止按鈕SB3,使接觸器KM1線圈失電,觸頭斷開,電動(dòng)機(jī)電樞繞組因斷電而停止運(yùn)行。

然后再按下啟動(dòng)按鈕SB2,使接觸器KM2獲電,KM2常開觸頭閉合,改變了電樞電壓的方向,實(shí)現(xiàn)了電動(dòng)機(jī)的反轉(zhuǎn)。該電路采用了接觸器聯(lián)鎖的正反轉(zhuǎn)控制線路。