碳化硅優(yōu)勢之余，也存在著成本偏高的問題。針對這一問題其實汽車并不像消費(fèi)類電子那么的在乎成本，它更加在乎的是安全性與可靠性。如果一輛汽車因為某些原因被召回的話，那它的成本損失將是相當(dāng)大的，同時對這個品牌效應(yīng)影響也是很嚴(yán)重的。所以，我們是按照整體方案的性能來計算成本的。

雖然SiC材料價格成本偏高，但其對提高效率和續(xù)航里程，以及對增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性等方面，均有著明顯的優(yōu)勢。因此從這個角度來看，采用碳化硅MOSFET還是比較劃算的。

把母線電壓提高到1000V以上之后，也可以加快電動汽車的充電速度。

由于電動機(jī)作慣性運(yùn)轉(zhuǎn),產(chǎn)生感應(yīng)電勢,使中間繼電器KA2得電,接觸器KM2獲電動作)制動電阻被接入電樞回路。這時電樞中感應(yīng)電流的方向與原來的方向相反,從而實現(xiàn)了能耗制動。當(dāng)轉(zhuǎn)速降低后,電樞產(chǎn)生的感生電動勢減小,KA2失電,接觸器KM2斷電釋放,制動回路斷開,制動完畢。

硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），以及近幾年剛剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。其中，碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料。

而且實際汽車的使用過程中，超過95%的工況都是在低負(fù)載的情況，這種低負(fù)載工況下IGBT逆變器和SiC MOSFET逆變器的能效比相差了3～4個百分點(diǎn)。

電路工作情況如下:合上電源開關(guān)QS,按下啟動按鈕SB1,接觸器KM1線圈得電,KM1常開觸頭閉合,電動機(jī)電樞接通電源,啟動運(yùn)轉(zhuǎn)。