內(nèi)部熱回路旁路電容在高開關(guān)頻率獲得低EMI和高效率
發(fā)布時間:2022/4/20 20:28:27 訪問次數(shù):921
低VIN高效10A降壓DC/DC μModule穩(wěn)壓器,采用微型4mm × 4mm × 4.32mm LGA封裝.
LTM4658采用安靜開關(guān)器2架構(gòu),內(nèi)部熱回路旁路電容在高開關(guān)頻率是獲得低EMI和高效率.器件支持頻率同步,多相工作,可選擇脈沖跳躍模式工作,輸出電壓跟蹤用于電源軌加序.
開關(guān)頻率和電流模式架構(gòu)使得線路和負載變化具有非常快瞬態(tài)響應(yīng)而不會犧牲穩(wěn)定性.
故障保護特性包括過壓,過流和超溫保護.主要用在電訊,數(shù)據(jù)通信和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),光模塊和工業(yè)設(shè)備以及點負載穩(wěn)壓.
存儲器集成在2048個16K模塊內(nèi)，每個模塊可分為若干個512字節(jié)的頁，每頁又會閑置出16字節(jié)，用于頁進行讀取和編程操作。
這些閑置字節(jié)通常用于糾錯編碼（Error Correction Code）、軟件標記或損壞塊鑒定。緩存編程模塊可使存儲在一頁中的數(shù)據(jù)被直接編程進另一頁，通常用于從故障塊內(nèi)移出數(shù)據(jù)。塊擦除命令的擦除時間為2ms，每塊可進行100,000次編程和擦除操作，數(shù)據(jù)保持期為10年。
軟件工具鏈支持采用NAND閃存系列產(chǎn)品的設(shè)備的快速發(fā)展，有助于延長其使用壽命。
操作數(shù)使用次數(shù)(層數(shù)):NO~N7,按由小到大的順序使用;主控元件號:Y或M(特殊繼電器除外)。
MCR一主控復(fù)位指令功能,取消臨時左母線(返回原位),結(jié)束主控電路塊。
操作數(shù)使用次數(shù)(層數(shù)):N7~N0,按由大到小的順序返回,與MC指令相對應(yīng)。
主控指令應(yīng)用示例,a)多路輸出梯形圖 b)采用主控指令的梯形圖 c)指令語句表.
低VIN高效10A降壓DC/DC μModule穩(wěn)壓器,采用微型4mm × 4mm × 4.32mm LGA封裝.
LTM4658采用安靜開關(guān)器2架構(gòu),內(nèi)部熱回路旁路電容在高開關(guān)頻率是獲得低EMI和高效率.器件支持頻率同步,多相工作,可選擇脈沖跳躍模式工作,輸出電壓跟蹤用于電源軌加序.
開關(guān)頻率和電流模式架構(gòu)使得線路和負載變化具有非�？焖矐B(tài)響應(yīng)而不會犧牲穩(wěn)定性.
故障保護特性包括過壓,過流和超溫保護.主要用在電訊,數(shù)據(jù)通信和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),光模塊和工業(yè)設(shè)備以及點負載穩(wěn)壓.
存儲器集成在2048個16K模塊內(nèi)，每個模塊可分為若干個512字節(jié)的頁，每頁又會閑置出16字節(jié)，用于頁進行讀取和編程操作。
這些閑置字節(jié)通常用于糾錯編碼（Error Correction Code）、軟件標記或損壞塊鑒定。緩存編程模塊可使存儲在一頁中的數(shù)據(jù)被直接編程進另一頁，通常用于從故障塊內(nèi)移出數(shù)據(jù)。塊擦除命令的擦除時間為2ms，每塊可進行100,000次編程和擦除操作，數(shù)據(jù)保持期為10年。
軟件工具鏈支持采用NAND閃存系列產(chǎn)品的設(shè)備的快速發(fā)展，有助于延長其使用壽命。
操作數(shù)使用次數(shù)(層數(shù)):NO~N7,按由小到大的順序使用;主控元件號:Y或M(特殊繼電器除外)。
MCR一主控復(fù)位指令功能,取消臨時左母線(返回原位),結(jié)束主控電路塊。
操作數(shù)使用次數(shù)(層數(shù)):N7~N0,按由大到小的順序返回,與MC指令相對應(yīng)。
主控指令應(yīng)用示例,a)多路輸出梯形圖 b)采用主控指令的梯形圖 c)指令語句表.
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