功能識(shí)別號(hào)的定義、組成方式及字母含義在ASM、AWM手冊(cè)前言的Introducation里有詳細(xì)描述,這里對(duì)每個(gè)功能識(shí)別號(hào)的含義不再詳述。

AMM是維護(hù)人員使用最頻繁的一本手冊(cè),它提供了航線和定檢維護(hù)時(shí)所需的詳細(xì)技術(shù)信息,包含概述與操作、各種例行維護(hù)程序和非例行維護(hù)程序。

手冊(cè)結(jié)構(gòu)AMM手冊(cè)分為前言和章節(jié)。前言包括手冊(cè)更改、手冊(cè)介紹、機(jī)隊(duì)序列號(hào)/廠家序列號(hào)交叉索引表、服務(wù)通告清單、客戶發(fā)起的更改清單、解除/恢復(fù)使用程序索引。

多項(xiàng)性能指標(biāo)提升,R3系列驅(qū)動(dòng)電源相較于R1系列產(chǎn)品，整體性能也進(jìn)行了優(yōu)化提升

效率提升：80%→87%

紋波下降：75mVpp→50mVpp

強(qiáng)帶載能力：220uF→2200uF

靜電性能提升：±6kV→±8kV

隔離電容降低：6.6pF→3.5pF

波形顯示因?yàn)槿鄙俦３汁h(huán)路穩(wěn)定所需的47nF柵極電容，所以反而會(huì)對(duì)涌入電流脈沖實(shí)施調(diào)節(jié)。

在60V涌入期間，電流會(huì)斷開約0.5ms。LTC4381 TMR上拉電流與內(nèi)部MOSFET的功耗成正比。因此，即使電流低于電流限值閾值，在啟動(dòng)涌入期間，TMR也會(huì)升高。

故意去掉柵極電容，以使用小型TMR電容，使220μF負(fù)載電容仍能成功啟動(dòng)。在短路故障期間，小型TMR電容會(huì)保護(hù)MOSFET。

最小的TMR電容為68nF，在60V啟動(dòng)期間保持TMR電壓上升到0.7V左右。