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獨(dú)立時(shí)鐘與一個(gè)測(cè)量和比較時(shí)鐘性能的多通道儀器綜合生成

發(fā)布時(shí)間:2022/5/22 23:24:03 訪問次數(shù):154


SyncSystem 4380A時(shí)標(biāo)版(Time Scale Edition)生成一個(gè)自主的時(shí)間標(biāo)度,由多個(gè)高度精確的獨(dú)立時(shí)鐘與一個(gè)測(cè)量和比較時(shí)鐘性能的多通道儀器綜合生成。

時(shí)標(biāo)編排器(Time Scale Orchestrator)是一個(gè)軟件平臺(tái),具有統(tǒng)一的視圖和內(nèi)置數(shù)據(jù)庫,整合了構(gòu)成時(shí)標(biāo)系統(tǒng)的各個(gè)產(chǎn)品的管理、監(jiān)測(cè)、報(bào)警和報(bào)告功能。

5071A銫原子鐘主頻率標(biāo)準(zhǔn)和MHM 2020主動(dòng)型氫原子鐘是Microchip的原子鐘,可提供準(zhǔn)確和穩(wěn)定的頻率,通過不斷地相互測(cè)量來計(jì)算和生成綜合時(shí)標(biāo)頻率(ensemble time scale frequency)。

精確時(shí)標(biāo)系統(tǒng)(PTSS)將多款新時(shí)標(biāo)產(chǎn)品整合為一個(gè)交鑰匙解決方案,可在單個(gè)機(jī)架上使用,并由高于最嚴(yán)格要求的完整工廠驗(yàn)收測(cè)試(FAT)提供保證。

一般應(yīng)安裝動(dòng)作電流為15-30mA,動(dòng)作時(shí)間在0.1s之內(nèi)的漏電斷路器。對(duì)于水中的電器設(shè)備,應(yīng)安裝動(dòng)作.電流為6-10mA,動(dòng)作時(shí)間在US之內(nèi)的漏電斷路器。對(duì)電壓為220V或380V的固定電氣設(shè)備,當(dāng)外殼接地電阻在500fZ以下時(shí),單機(jī)可安裝動(dòng)作電流為30mA,動(dòng)作時(shí)間在0.19之內(nèi)的漏電斷路器。

對(duì)額定電流在100A以上的大型電氣設(shè)備或帶有多臺(tái)用電設(shè)備的供電回路,可安裝動(dòng)作電流為50--100mA的漏電斷路器,對(duì)用電設(shè)備的接地電阻在1000歐姆以下時(shí),可安裝動(dòng)作電流為200-500mA的漏電斷路器。

在t4~t5時(shí)段,MOSFET Q1通道導(dǎo)通,流過非常大的直通電流,該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電 流引起。這不是偶然的直通,因?yàn)楦、低端MOSFET正常施加了門極信號(hào);如同直通電流一樣,它會(huì)影響到該開關(guān)電源。

這會(huì)產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt,有時(shí)會(huì)擊穿 MOSFET Q2。這樣就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效,并且當(dāng)采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差時(shí),這種失效機(jī)理將會(huì)更加嚴(yán)重。

過載失效模式不同負(fù)載下LLC諧振變換器的直流增益特性曲線。



SyncSystem 4380A時(shí)標(biāo)版(Time Scale Edition)生成一個(gè)自主的時(shí)間標(biāo)度,由多個(gè)高度精確的獨(dú)立時(shí)鐘與一個(gè)測(cè)量和比較時(shí)鐘性能的多通道儀器綜合生成。

時(shí)標(biāo)編排器(Time Scale Orchestrator)是一個(gè)軟件平臺(tái),具有統(tǒng)一的視圖和內(nèi)置數(shù)據(jù)庫,整合了構(gòu)成時(shí)標(biāo)系統(tǒng)的各個(gè)產(chǎn)品的管理、監(jiān)測(cè)、報(bào)警和報(bào)告功能。

5071A銫原子鐘主頻率標(biāo)準(zhǔn)和MHM 2020主動(dòng)型氫原子鐘是Microchip的原子鐘,可提供準(zhǔn)確和穩(wěn)定的頻率,通過不斷地相互測(cè)量來計(jì)算和生成綜合時(shí)標(biāo)頻率(ensemble time scale frequency)。

精確時(shí)標(biāo)系統(tǒng)(PTSS)將多款新時(shí)標(biāo)產(chǎn)品整合為一個(gè)交鑰匙解決方案,可在單個(gè)機(jī)架上使用,并由高于最嚴(yán)格要求的完整工廠驗(yàn)收測(cè)試(FAT)提供保證。

一般應(yīng)安裝動(dòng)作電流為15-30mA,動(dòng)作時(shí)間在0.1s之內(nèi)的漏電斷路器。對(duì)于水中的電器設(shè)備,應(yīng)安裝動(dòng)作.電流為6-10mA,動(dòng)作時(shí)間在US之內(nèi)的漏電斷路器。對(duì)電壓為220V或380V的固定電氣設(shè)備,當(dāng)外殼接地電阻在500fZ以下時(shí),單機(jī)可安裝動(dòng)作電流為30mA,動(dòng)作時(shí)間在0.19之內(nèi)的漏電斷路器。

對(duì)額定電流在100A以上的大型電氣設(shè)備或帶有多臺(tái)用電設(shè)備的供電回路,可安裝動(dòng)作電流為50--100mA的漏電斷路器,對(duì)用電設(shè)備的接地電阻在1000歐姆以下時(shí),可安裝動(dòng)作電流為200-500mA的漏電斷路器。

在t4~t5時(shí)段,MOSFET Q1通道導(dǎo)通,流過非常大的直通電流,該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電 流引起。這不是偶然的直通,因?yàn)楦摺⒌投薓OSFET正常施加了門極信號(hào);如同直通電流一樣,它會(huì)影響到該開關(guān)電源。

這會(huì)產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt,有時(shí)會(huì)擊穿 MOSFET Q2。這樣就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效,并且當(dāng)采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差時(shí),這種失效機(jī)理將會(huì)更加嚴(yán)重。

過載失效模式不同負(fù)載下LLC諧振變換器的直流增益特性曲線。


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