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短路時(shí)功率MOSFET開關(guān)波形承受比信號(hào)線保護(hù)器件功率水平

發(fā)布時(shí)間:2022/5/22 23:58:24 訪問(wèn)次數(shù):250

ESD沖擊可高達(dá)30kV或更高,上升時(shí)間快,并且可以熔化硅和導(dǎo)線,電流高達(dá)30A。ESD具有如此大的能量,可能導(dǎo)致元件完全失效。

對(duì)于邊帶使用 (SBU) 和配置通道 (CC) 線路,請(qǐng)考慮SP1006單向TVS二極管。該元件可以在μDFN-2封裝中安全地吸收30kV ESD沖擊。SP1006是一款非?煽康腡VS二極管,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于USB通信的汽車應(yīng)用。 

Vbus線路要求TVS二極管能夠承受比信號(hào)線保護(hù)器件更高的功率水平。 


SPHV系列200 W TVS二極管可保護(hù)容量為100W的Vbus線路。 SPHV二極管可承受30kV的ESD沖擊,并通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,采用表面貼裝封裝。 

對(duì)于擴(kuò)展功率范圍接口,一個(gè)示例解決方案是SMBJ二極管。 它具有比SPHV二極管更高的600W峰值額定功率,并且可以吸收高達(dá)30kVESD沖擊。 與其它推薦用于USB端口的TVS二極管一樣,SMBJ二極管是表面貼裝元件。

每個(gè)不同的TVS二極管都具有保護(hù)一組特定線路免受ESD影響所必需的功能,并且不會(huì)干擾線路的功能。將這些二極管結(jié)合到電路中可以防止即時(shí)故障、軟故障和潛在的過(guò)早失效。


最壞情況為短路。短路時(shí),MOSFET導(dǎo)通電流非常高 (理論上無(wú)限高),頻率也會(huì)降低。當(dāng)發(fā)生短路時(shí),諧 振回路中Lm被旁路.LLC諧振變換器可以簡(jiǎn)化為由Cr和Lr組成的諧振電路,因?yàn)镃r只與Lr發(fā)生諧振。

省略了t1-t2時(shí)段,短路時(shí)次級(jí)二極管在CCM模式下連續(xù)導(dǎo)通。短路狀態(tài)下工作模式幾乎與過(guò)載狀態(tài)下一樣,但是短路狀態(tài)更糟糕,因?yàn)榱鹘?jīng)開關(guān)體二極管的反向恢復(fù) 電流更大。

短路時(shí)功率MOSFET的開關(guān)波形。短路的波形與過(guò)載下的波形類似,但是其電流的等級(jí)更高,MOSFET結(jié)溫度更高,更容易失效。







ESD沖擊可高達(dá)30kV或更高,上升時(shí)間快,并且可以熔化硅和導(dǎo)線,電流高達(dá)30A。ESD具有如此大的能量,可能導(dǎo)致元件完全失效。

對(duì)于邊帶使用 (SBU) 和配置通道 (CC) 線路,請(qǐng)考慮SP1006單向TVS二極管。該元件可以在μDFN-2封裝中安全地吸收30kV ESD沖擊。SP1006是一款非常可靠的TVS二極管,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于USB通信的汽車應(yīng)用。 

Vbus線路要求TVS二極管能夠承受比信號(hào)線保護(hù)器件更高的功率水平。 


SPHV系列200 W TVS二極管可保護(hù)容量為100W的Vbus線路。 SPHV二極管可承受30kV的ESD沖擊,并通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,采用表面貼裝封裝。 

對(duì)于擴(kuò)展功率范圍接口,一個(gè)示例解決方案是SMBJ二極管。 它具有比SPHV二極管更高的600W峰值額定功率,并且可以吸收高達(dá)30kVESD沖擊。 與其它推薦用于USB端口的TVS二極管一樣,SMBJ二極管是表面貼裝元件。

每個(gè)不同的TVS二極管都具有保護(hù)一組特定線路免受ESD影響所必需的功能,并且不會(huì)干擾線路的功能。將這些二極管結(jié)合到電路中可以防止即時(shí)故障、軟故障和潛在的過(guò)早失效。


最壞情況為短路。短路時(shí),MOSFET導(dǎo)通電流非常高 (理論上無(wú)限高),頻率也會(huì)降低。當(dāng)發(fā)生短路時(shí),諧 振回路中Lm被旁路.LLC諧振變換器可以簡(jiǎn)化為由Cr和Lr組成的諧振電路,因?yàn)镃r只與Lr發(fā)生諧振。

省略了t1-t2時(shí)段,短路時(shí)次級(jí)二極管在CCM模式下連續(xù)導(dǎo)通。短路狀態(tài)下工作模式幾乎與過(guò)載狀態(tài)下一樣,但是短路狀態(tài)更糟糕,因?yàn)榱鹘?jīng)開關(guān)體二極管的反向恢復(fù) 電流更大。

短路時(shí)功率MOSFET的開關(guān)波形。短路的波形與過(guò)載下的波形類似,但是其電流的等級(jí)更高,MOSFET結(jié)溫度更高,更容易失效。







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