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插座和預(yù)編程閃存以及邏輯器件I2C串行接口的設(shè)計

發(fā)布時間:2022/5/27 13:30:29 訪問次數(shù):165

80C51微處理器產(chǎn)品,配備達(dá)64KB的Flash程序記憶體、2KB隨機(jī)記憶體及I2C串行接口,可支援各類先進(jìn)的計算程序,這些代號為P89C66x的新產(chǎn)品進(jìn)一步鞏固飛利浦半導(dǎo)體在80C51領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

P89C66x在一些以高級電腦語言例如C或C++編寫而成的應(yīng)用程序、或一些需要使用Flash記憶體、大量隨機(jī)記憶體及I2C串行接口的設(shè)計最能發(fā)揮所長。

P89C66x有一個內(nèi)置下載器,可支援Flash記憶體的串行ISP及IAP,讓Flash程序記憶體在程序操作期間也能進(jìn)行組裝。

5種基本變形(a)拉伸變形;(b)壓縮變形;(c)剪切變形;(d)扭轉(zhuǎn)變形;(e)彎曲變形

內(nèi)力當(dāng)構(gòu)件在載荷作用下發(fā)生變形時,構(gòu)件材料分子之間會產(chǎn)生反抗變形,力圖使其恢復(fù)原形的力,這就是內(nèi)力。內(nèi)與引起內(nèi)力的外應(yīng)變形的5種形壓力、剪力、彎矩和扭矩

應(yīng)力和應(yīng)變,在載荷作用下,維構(gòu)做應(yīng)立⒍如果內(nèi)力是均勻分布的,則應(yīng)力等于截面上的內(nèi)力除以截面面積。應(yīng)力拉應(yīng)力、壓應(yīng)力和剪應(yīng)力。

正應(yīng)力和正應(yīng)變,正應(yīng)力是拉應(yīng)力和壓應(yīng)力的統(tǒng)稱。正應(yīng)力是垂直于即的法向方向,用符號σ表示,正應(yīng)力矢量方向由截面向外指.


JTAG發(fā)生時無需DSP介入,因此,電路板組裝時可以安裝一個空白器件,然后,在組裝線終端完成編程,而無需成本昂貴的插座和預(yù)編程閃存以及邏輯器件。

DSM2180F3為受尺寸、EMI水平和功耗限制的產(chǎn)品提供了一個最理想的系統(tǒng)級解決方案,DSM提供的閃存和邏輯均是“零功率”,使它們能夠在存儲訪問或邏輯輸入變化之間自動切換,產(chǎn)生的活動和待機(jī)電流十分小。

對于3.3V器件,待機(jī)電流最低可達(dá)25μA,因此,DSM2180F3是電池供電產(chǎn)品的最理想器件。


80C51微處理器產(chǎn)品,配備達(dá)64KB的Flash程序記憶體、2KB隨機(jī)記憶體及I2C串行接口,可支援各類先進(jìn)的計算程序,這些代號為P89C66x的新產(chǎn)品進(jìn)一步鞏固飛利浦半導(dǎo)體在80C51領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

P89C66x在一些以高級電腦語言例如C或C++編寫而成的應(yīng)用程序、或一些需要使用Flash記憶體、大量隨機(jī)記憶體及I2C串行接口的設(shè)計最能發(fā)揮所長。

P89C66x有一個內(nèi)置下載器,可支援Flash記憶體的串行ISP及IAP,讓Flash程序記憶體在程序操作期間也能進(jìn)行組裝。

5種基本變形(a)拉伸變形;(b)壓縮變形;(c)剪切變形;(d)扭轉(zhuǎn)變形;(e)彎曲變形

內(nèi)力當(dāng)構(gòu)件在載荷作用下發(fā)生變形時,構(gòu)件材料分子之間會產(chǎn)生反抗變形,力圖使其恢復(fù)原形的力,這就是內(nèi)力。內(nèi)與引起內(nèi)力的外應(yīng)變形的5種形壓力、剪力、彎矩和扭矩

應(yīng)力和應(yīng)變,在載荷作用下,維構(gòu)做應(yīng)立⒍如果內(nèi)力是均勻分布的,則應(yīng)力等于截面上的內(nèi)力除以截面面積。應(yīng)力拉應(yīng)力、壓應(yīng)力和剪應(yīng)力。

正應(yīng)力和正應(yīng)變,正應(yīng)力是拉應(yīng)力和壓應(yīng)力的統(tǒng)稱。正應(yīng)力是垂直于即的法向方向,用符號σ表示,正應(yīng)力矢量方向由截面向外指.


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DSM2180F3為受尺寸、EMI水平和功耗限制的產(chǎn)品提供了一個最理想的系統(tǒng)級解決方案,DSM提供的閃存和邏輯均是“零功率”,使它們能夠在存儲訪問或邏輯輸入變化之間自動切換,產(chǎn)生的活動和待機(jī)電流十分小。

對于3.3V器件,待機(jī)電流最低可達(dá)25μA,因此,DSM2180F3是電池供電產(chǎn)品的最理想器件。


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