碳化硅技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場(chǎng)需求不斷攀升。SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。

SiC技術(shù)的使用量正在急劇上升。隨著供應(yīng)商的不斷增加，產(chǎn)品的選擇范圍也日益豐富。

碳化硅的應(yīng)用范圍正在從混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車（H/EV）的車載應(yīng)用擴(kuò)展到火車、重型車輛、工業(yè)設(shè)備和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的非汽車動(dòng)力和電機(jī)控制系統(tǒng)。航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的供應(yīng)商也在不斷提升SiC的質(zhì)量和可靠性，以滿足這些行業(yè)對(duì)產(chǎn)品穩(wěn)固性的嚴(yán)格要求。

使用鎢或鉬的新材料2埃米（A2）制程結(jié)構(gòu)制造出相當(dāng)于幾個(gè)原子長(zhǎng)度的柵極。

PCIe技術(shù)近期在速度和延遲方面取得的突破讓其在存儲(chǔ)器架構(gòu)中也獲得了廣泛應(yīng)用（例如通過(guò)PCIe/CXL插槽連接的持久內(nèi)存和DRAM）。

人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）應(yīng)用的變革以及企業(yè)工作負(fù)載加速遷移至云端的趨勢(shì)，持續(xù)推動(dòng)數(shù)據(jù)流量前所未有的增長(zhǎng)。為了應(yīng)對(duì)未來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)帶寬的需求，PCI-SIG發(fā)布了PCIe 6.0，將數(shù)據(jù)傳輸速率翻倍至64GT/s。

一個(gè)有趣的選擇是將電力輸送移到晶圓的背面,為前端的互聯(lián)留下了更多的設(shè)計(jì)靈活性。

隔離和非隔離的設(shè)計(jì),這種先進(jìn)的反激控制器能達(dá)到高達(dá)90%的滿負(fù)載效率,在負(fù)載范圍內(nèi)有平坦的效率和非常低的無(wú)負(fù)載損耗. 

InnoSwitch3-TN可以用作精確的5V單輸出電源,具有兩個(gè)正軌或正與負(fù)的軌.器件集成了725V初級(jí)MOSFET,初級(jí)和次級(jí)反激控制器,采用專用的FluxLink通信通路.額定安全的FluxLink通信保證可靠同步整流和精確的輸出CV和CC.綜合的安全特性包括輸出過(guò)流保護(hù)和超溫保護(hù).