Inovys硅片調(diào)試解決方案，以滿足更高效調(diào)試的需求，加速新的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)器件的批量生產(chǎn)。把Inovys FaultInsyte軟件和具有可擴(kuò)充性和靈活性V93000 SoC測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合在一起。這是一款集成式解決方案，通過(guò)把電路故障與復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片上的物理缺陷對(duì)應(yīng)起來(lái)，可以大大縮短錯(cuò)誤檢測(cè)和診斷所需的時(shí)間。它明顯地縮短了制造商采用90 nm(及以下)工藝調(diào)試、投產(chǎn)和大批量生產(chǎn)所需的時(shí)間。

由于復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片正日益成為消費(fèi)電子設(shè)備的核心，產(chǎn)品的生命周期也在縮短，這直接帶來(lái)了一個(gè)壓力，即縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，把有限的時(shí)間用于調(diào)試和特性分析。

與此同時(shí)，90nm及以下工藝中的節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)對(duì)于鑄造設(shè)備變化十分敏感，容易產(chǎn)生新的錯(cuò)誤機(jī)制和故障模式。此外，在這種工藝下，工藝和設(shè)計(jì)相互影響，也會(huì)產(chǎn)生復(fù)雜的新錯(cuò)誤和新缺陷。

NOR閃存芯片廣泛用于手機(jī)，運(yùn)行關(guān)鍵的手機(jī)操作系統(tǒng)，管理個(gè)人數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)相片、音樂(lè)和視頻。

這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于Numonyx StrataFlash存儲(chǔ)器架構(gòu)，引腳兼容恒憶目前量產(chǎn)的65nm NOR閃存芯片。

產(chǎn)品架構(gòu)的兼容性和連續(xù)性使手機(jī)原始設(shè)備制造商能夠降低開(kāi)發(fā)成本，延長(zhǎng)現(xiàn)有產(chǎn)品平臺(tái)的生命周期，利用大容量存儲(chǔ)和速度更快的存儲(chǔ)器“立即執(zhí)行”功能，加快向市場(chǎng)推出新產(chǎn)品的速度。與上一代產(chǎn)品相比，新技術(shù)將數(shù)據(jù)寫入速度提高50%。

它們代表地圖上的各種3-D物體（如高層建筑），并且實(shí)現(xiàn)了詳細(xì)的高級(jí)GUI以及地圖、圖標(biāo)和菜單。

雙核SoC產(chǎn)品，整合了圖像識(shí)別處理功能，如駕駛輔助系統(tǒng)的車道檢測(cè)。片上圖像識(shí)別處理功能的SH7774（SH-Navi2）。