UNI/O總線及EEPROM器件的開發(fā)。通過該總線，EEPROM器件與單片機(jī) （MCU）之間的通信僅需一個(gè)I/O端口即可。這樣，設(shè)計(jì)人員可選用體積較為小巧的單片機(jī)，從而縮小整個(gè)設(shè)計(jì)尺寸。

此外，較小的單片機(jī)即意味著需要使用較小的連接器——由于單I/O總線減少了與EEPROM通信時(shí)所需的信號，使得低引腳數(shù)連接器的使用成為可能。

同時(shí)，由于UNI/O存儲器件具有8引腳封裝，而且其引腳分布正好跟所有標(biāo)準(zhǔn)的I2C或SPI  EEPROM插糟重疊，因此評估也大為簡化。換言之，客戶只要使用現(xiàn)有的硬件加上UNI/O軟件驅(qū)動(dòng)器，即可進(jìn)行快速測試。

最多可顯示480段位(4COM×120SEG)

內(nèi)置鍵掃描電路 (5輸出×6輸入=30Key)

靜態(tài)、1/2、1/3、1/4占空比可任意切換

內(nèi)置電子電位器 (8步進(jìn))

A波形、B波形可任意切換 (驅(qū)動(dòng)波形)

工作溫度范圍寬廣 (-40～+105度)

通常將電阻的倒數(shù)稱為電導(dǎo)。電導(dǎo)用大寫字母“G”來表示,電導(dǎo)G=1/R。電導(dǎo)在物理學(xué)上也被用來描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能。電導(dǎo)的國際規(guī)定單位為西門子,英文字母表示為“s”,可以簡稱為“西”。

“ρ”是電阻的比例系數(shù),又叫電阻率。p的大小由電子導(dǎo)體的材料和工作環(huán)境的溫度共同決定.國際規(guī)定電阻率的單位是S/m(即西/米)。

這是因?yàn)殡娮杪首鳛槲镔|(zhì)的特性,是用來描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能的參數(shù)。假設(shè)導(dǎo)體為材料制成的均勻柱形物件,那么電阻與導(dǎo)體的橫截面積成反比,而與同導(dǎo)體的長度成正比。