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反向電壓Vcb加壓在基極和集電極四路和八路服務(wù)器

發(fā)布時(shí)間:2022/7/9 0:00:07 訪問(wèn)次數(shù):94

直連架構(gòu)的六核服務(wù)器處理器,面向雙路、四路和八路服務(wù)器。代號(hào)為“Istanbul”的六核AMD皓龍?zhí)幚砥餮永m(xù)了AMD致力于以各種價(jià)位和無(wú)與倫比的平臺(tái)靈活性為客戶帶來(lái)卓越價(jià)值的承諾。

通過(guò)同一個(gè)平臺(tái),AMD新的六核皓龍?zhí)幚砥髂軌驖M足對(duì)更多的核心和更高擴(kuò)展性的需要,而AMD四核皓龍?zhí)幚砥鲃t可以提供經(jīng)濟(jì)高效和更節(jié)能的解決方案。Cray、戴爾、惠普、IBM和Sun等領(lǐng)先的OEM廠商,基于AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞯南到y(tǒng),同時(shí)該處理器還得到了主板和基礎(chǔ)架構(gòu)合作伙伴的支持。AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞯腍E、SE和EE版本。

AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞒浞掷昧爽F(xiàn)有的平臺(tái)基礎(chǔ)架構(gòu)以及低成本、高能效的DDR-2內(nèi)存,有助于降低系統(tǒng)的采購(gòu)成本.

三極管的主要參數(shù)

三極管的主要參數(shù)包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

三極管的直流參數(shù)。

三極管的四種開(kāi)路為:

集電極在Ie=o時(shí),代表著1cbo(基極反向飽和電流)為發(fā)射極開(kāi)路,基極反向飽和電流意為將反向電壓Vcb加壓在基極和集電極兩者之問(wèn),因?yàn)檫@個(gè)參數(shù)在一定溫度下表現(xiàn)穩(wěn)定,時(shí)常為一個(gè)常數(shù),所以稱作反向飽和電流。Icbo很小的三極管一般制作良好,而硅管三極管的Icbo是毫微安級(jí),可以說(shuō)是非常小。

轉(zhuǎn)換器的常見(jiàn)技術(shù)規(guī)格如下:

降壓模式下輸出功率為2kW至3.3kW,升壓模式下輸出功率最高1.5kW;

輸出電流約250A;

12V - 14V輸出電壓;

輸入電壓24V到56V;

能效高于93%。


直連架構(gòu)的六核服務(wù)器處理器,面向雙路、四路和八路服務(wù)器。代號(hào)為“Istanbul”的六核AMD皓龍?zhí)幚砥餮永m(xù)了AMD致力于以各種價(jià)位和無(wú)與倫比的平臺(tái)靈活性為客戶帶來(lái)卓越價(jià)值的承諾。

通過(guò)同一個(gè)平臺(tái),AMD新的六核皓龍?zhí)幚砥髂軌驖M足對(duì)更多的核心和更高擴(kuò)展性的需要,而AMD四核皓龍?zhí)幚砥鲃t可以提供經(jīng)濟(jì)高效和更節(jié)能的解決方案。Cray、戴爾、惠普、IBM和Sun等領(lǐng)先的OEM廠商,基于AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞯南到y(tǒng),同時(shí)該處理器還得到了主板和基礎(chǔ)架構(gòu)合作伙伴的支持。AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞯腍E、SE和EE版本。

AMD六核皓龍?zhí)幚砥鞒浞掷昧爽F(xiàn)有的平臺(tái)基礎(chǔ)架構(gòu)以及低成本、高能效的DDR-2內(nèi)存,有助于降低系統(tǒng)的采購(gòu)成本.

三極管的主要參數(shù)

三極管的主要參數(shù)包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

三極管的直流參數(shù)。

三極管的四種開(kāi)路為:

集電極在Ie=o時(shí),代表著1cbo(基極反向飽和電流)為發(fā)射極開(kāi)路,基極反向飽和電流意為將反向電壓Vcb加壓在基極和集電極兩者之問(wèn),因?yàn)檫@個(gè)參數(shù)在一定溫度下表現(xiàn)穩(wěn)定,時(shí)常為一個(gè)常數(shù),所以稱作反向飽和電流。Icbo很小的三極管一般制作良好,而硅管三極管的Icbo是毫微安級(jí),可以說(shuō)是非常小。

轉(zhuǎn)換器的常見(jiàn)技術(shù)規(guī)格如下:

降壓模式下輸出功率為2kW至3.3kW,升壓模式下輸出功率最高1.5kW;

輸出電流約250A;

12V - 14V輸出電壓;

輸入電壓24V到56V;

能效高于93%。


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