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電源之間瞬間并聯(lián)持續(xù)時(shí)間是有限制實(shí)現(xiàn)兩電源合閘并聯(lián)

發(fā)布時(shí)間:2022/7/15 23:08:48 訪問(wèn)次數(shù):175

瞬時(shí)過(guò)電壓是發(fā)電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中的正常過(guò)電壓,保護(hù)裝置不應(yīng)動(dòng)作,否則就是誤動(dòng)作;后者則是故障狀態(tài),保護(hù)裝置應(yīng)該動(dòng)作,否則就是拒動(dòng)作。

眾所周知,過(guò)電壓的危害是很大的。它可能使電子設(shè)各及照明設(shè)備降低壽命,嚴(yán)重時(shí)甚至燒毀;它可能使電動(dòng)機(jī)過(guò)速、過(guò)載。過(guò)電壓越大,破壞性就越強(qiáng)。因此,一般電源系統(tǒng)都設(shè)有過(guò)電壓保護(hù)裝置。

通常用電設(shè)備允許的電壓變化范圍是額定電壓的±10%,故過(guò)電壓保護(hù)的低限值是由用電設(shè)各允許的最高持續(xù)電壓來(lái)確定的。


MMBT7002K N溝道增強(qiáng)型FET性能優(yōu)異,適合信號(hào)處理、邏輯電平轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。

此款FET提供ESD保護(hù)型柵極快速開(kāi)關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。

兩套電源之間的瞬間并聯(lián)持續(xù)時(shí)間是有限制的。由于兩套電源的質(zhì)量、

這表明EP與IIX△電源的不中斷轉(zhuǎn)換失敗,需要進(jìn)行有中斷的轉(zhuǎn)換。反之,如果在120ms內(nèi)C£B已跳開(kāi),就將定時(shí)器復(fù)位,這時(shí)EP與IDC)之間的不中斷轉(zhuǎn)換完成。

GCU還能調(diào)節(jié)發(fā)電機(jī)的特性,使其與外電源或APU.G的電氣參數(shù)及特性相匹配。

GCUT內(nèi)配各有相應(yīng)的自動(dòng)并聯(lián)控制電路,可以實(shí)現(xiàn)兩電源的合閘并聯(lián)。

下面以外電源EPl代替機(jī)上的主發(fā)電機(jī)IDG為例,來(lái)說(shuō)明不中斷轉(zhuǎn)換的過(guò)程。

EP1可以不中斷地取代同步匯流條上的任一個(gè)電源,即與它們瞬時(shí)并聯(lián),然后再使原供電電源斷開(kāi)。EP1取代同側(cè)IDG的不中斷供電轉(zhuǎn)換的控制邏輯.

MMBT7002K N溝道增強(qiáng)型FET性能優(yōu)異,適合信號(hào)處理、邏輯電平轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。此款FET提供ESD保護(hù)型柵極快速開(kāi)關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。


瞬時(shí)過(guò)電壓是發(fā)電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中的正常過(guò)電壓,保護(hù)裝置不應(yīng)動(dòng)作,否則就是誤動(dòng)作;后者則是故障狀態(tài),保護(hù)裝置應(yīng)該動(dòng)作,否則就是拒動(dòng)作。

眾所周知,過(guò)電壓的危害是很大的。它可能使電子設(shè)各及照明設(shè)備降低壽命,嚴(yán)重時(shí)甚至燒毀;它可能使電動(dòng)機(jī)過(guò)速、過(guò)載。過(guò)電壓越大,破壞性就越強(qiáng)。因此,一般電源系統(tǒng)都設(shè)有過(guò)電壓保護(hù)裝置。

通常用電設(shè)備允許的電壓變化范圍是額定電壓的±10%,故過(guò)電壓保護(hù)的低限值是由用電設(shè)各允許的最高持續(xù)電壓來(lái)確定的。


MMBT7002K N溝道增強(qiáng)型FET性能優(yōu)異,適合信號(hào)處理、邏輯電平轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。

此款FET提供ESD保護(hù)型柵極快速開(kāi)關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。

兩套電源之間的瞬間并聯(lián)持續(xù)時(shí)間是有限制的。由于兩套電源的質(zhì)量、

這表明EP與IIX△電源的不中斷轉(zhuǎn)換失敗,需要進(jìn)行有中斷的轉(zhuǎn)換。反之,如果在120ms內(nèi)C£B已跳開(kāi),就將定時(shí)器復(fù)位,這時(shí)EP與IDC)之間的不中斷轉(zhuǎn)換完成。

GCU還能調(diào)節(jié)發(fā)電機(jī)的特性,使其與外電源或APU.G的電氣參數(shù)及特性相匹配。

GCUT內(nèi)配各有相應(yīng)的自動(dòng)并聯(lián)控制電路,可以實(shí)現(xiàn)兩電源的合閘并聯(lián)。

下面以外電源EPl代替機(jī)上的主發(fā)電機(jī)IDG為例,來(lái)說(shuō)明不中斷轉(zhuǎn)換的過(guò)程。

EP1可以不中斷地取代同步匯流條上的任一個(gè)電源,即與它們瞬時(shí)并聯(lián),然后再使原供電電源斷開(kāi)。EP1取代同側(cè)IDG的不中斷供電轉(zhuǎn)換的控制邏輯.

MMBT7002K N溝道增強(qiáng)型FET性能優(yōu)異,適合信號(hào)處理、邏輯電平轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。此款FET提供ESD保護(hù)型柵極快速開(kāi)關(guān),以及-55°C至+150°C的工作結(jié)溫。MMBT7002K FET具有350mW功耗、20V柵-源電壓和60V漏-源電壓。


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