LED驅(qū)動器穩(wěn)壓器模塊(VRM)和DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
發(fā)布時間:2022/7/11 13:06:59 訪問次數(shù):361
新款采用2020外殼尺寸的薄厚度、高電流IHLP電感器 --- IHLP-2020CZ-01。緊湊的IHLP-2020CZ-01的占位面積為5.18mmx5.49mm,厚度僅有3mm,同時具有高最大頻率和0.10μH至15μH的電感量。
新款I(lǐng)HLP電感器可在5MHz的頻率下工作,為終端產(chǎn)品中穩(wěn)壓器模塊(VRM)和DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了高效能、節(jié)能和節(jié)省空間的解決方案。
IHLP-2020CZ-01具有0.10μH至15μH的電感量范圍、2.5A至27A的飽和電流范圍、3.0mΩ至252.0mΩ的典型DCR,以及3.16mΩ至265.0mΩ的最大DCR。
傳感器由CAP1014、CAP1088、CAP1066、CAP1028、CAP1026、CAP1006和CAP1005組成,共同為設(shè)計者提供各種滑動裝置、按鈕、臨近效應(yīng)和LED驅(qū)動器功能。它們采用公司的RightTouch架構(gòu),從根本上抑制了模擬噪聲,從而得到了更高的信噪比,使其更容易進行微調(diào)觸摸閾值。
此架構(gòu)讓許多傳統(tǒng)上需依賴模擬和分立固定器件實現(xiàn)的功能,現(xiàn)在都能通過一種更具成本效益和可編程的數(shù)字信號處理的方式來實現(xiàn)。
PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。兩器件的擊穿電壓為100V,補充了低電壓PowerMOSFET產(chǎn)品,用于汽車應(yīng)用中。
NP28N10SDE和NP36N10SDE的額定電壓為100V,開關(guān)電流分別高達28A和36A。兩器件采用NEC電子公司的UMOS-2技術(shù),具有RDS(開)值:41mΩ (NP28N10SDE)和27mΩ (NP36N10SDE),以及低柵極電荷和輸入電容值。
這讓電視生產(chǎn)廠商得以最佳化系統(tǒng)參數(shù),并符合全球有線和地面廣播標(biāo)準(zhǔn),包括ATSC/QAM、DVB-T/C、ISDB-T/C、NTSC、PAL 和SECAM。
新款采用2020外殼尺寸的薄厚度、高電流IHLP電感器 --- IHLP-2020CZ-01。緊湊的IHLP-2020CZ-01的占位面積為5.18mmx5.49mm,厚度僅有3mm,同時具有高最大頻率和0.10μH至15μH的電感量。
新款I(lǐng)HLP電感器可在5MHz的頻率下工作,為終端產(chǎn)品中穩(wěn)壓器模塊(VRM)和DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了高效能、節(jié)能和節(jié)省空間的解決方案。
IHLP-2020CZ-01具有0.10μH至15μH的電感量范圍、2.5A至27A的飽和電流范圍、3.0mΩ至252.0mΩ的典型DCR,以及3.16mΩ至265.0mΩ的最大DCR。
傳感器由CAP1014、CAP1088、CAP1066、CAP1028、CAP1026、CAP1006和CAP1005組成,共同為設(shè)計者提供各種滑動裝置、按鈕、臨近效應(yīng)和LED驅(qū)動器功能。它們采用公司的RightTouch架構(gòu),從根本上抑制了模擬噪聲,從而得到了更高的信噪比,使其更容易進行微調(diào)觸摸閾值。
此架構(gòu)讓許多傳統(tǒng)上需依賴模擬和分立固定器件實現(xiàn)的功能,現(xiàn)在都能通過一種更具成本效益和可編程的數(shù)字信號處理的方式來實現(xiàn)。
PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。兩器件的擊穿電壓為100V,補充了低電壓PowerMOSFET產(chǎn)品,用于汽車應(yīng)用中。
NP28N10SDE和NP36N10SDE的額定電壓為100V,開關(guān)電流分別高達28A和36A。兩器件采用NEC電子公司的UMOS-2技術(shù),具有RDS(開)值:41mΩ (NP28N10SDE)和27mΩ (NP36N10SDE),以及低柵極電荷和輸入電容值。
這讓電視生產(chǎn)廠商得以最佳化系統(tǒng)參數(shù),并符合全球有線和地面廣播標(biāo)準(zhǔn),包括ATSC/QAM、DVB-T/C、ISDB-T/C、NTSC、PAL 和SECAM。
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