PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。兩器件的擊穿電壓為100V，補(bǔ)充了低電壓PowerMOSFET產(chǎn)品，用于汽車應(yīng)用中。

NP28N10SDE和NP36N10SDE的額定電壓為100 V，開關(guān)電流分別高達(dá)28 A和36 A。兩器件采用NEC電子公司的UMOS-2技術(shù)，具有RDS(開)值：41mΩ (NP28N10SDE) 和27 mΩ (NP36N10SDE)，以及低柵極電荷和輸入電容值。兩個(gè)器件均具有邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)，采用受歡迎的TO-252 (DPAK) SMD封裝。

該器件與所有NP系列產(chǎn)品一樣，獲得AEC-Q101認(rèn)證，溝道溫度高達(dá)175 °C，由于鍍錫引線而完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

集成的硅調(diào)諧器取代傳統(tǒng)的分立式調(diào)諧器，希望能由此降低成本、減少?gòu)?fù)雜度并符合各種標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)改善客戶產(chǎn)品的外型尺寸。在此之前，硅調(diào)諧器仍無法完全實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，因此數(shù)字電視仍使用傳統(tǒng)的分立式調(diào)諧器，以求達(dá)到實(shí)際上最佳的接收性能。

在此同時(shí)，為了支持混合的模擬和數(shù)字廣播接收，并符合各地區(qū)的廣播標(biāo)準(zhǔn)和系統(tǒng)需求，系統(tǒng)的復(fù)雜度和這些解決方案的成本正不斷增加。

為了超越傳統(tǒng)分立式電視調(diào)諧器的性能，Si2170硅調(diào)諧器集成了高線性射頻(RF)前端設(shè)計(jì)，其結(jié)合獨(dú)特、內(nèi)置的低噪聲放大器(LNA)和高Q (high-Q)追蹤濾波器，提供僅在預(yù)期通道頻率附近的增益。

其結(jié)果是，電容上的小變化可以得到更好的檢測(cè)、進(jìn)行結(jié)果分析,并且決定觸摸是否發(fā)生。容性傳感器系列是基于有三級(jí)調(diào)整步驟的專用寄存器的解決方案，無需閃存存儲(chǔ)器的預(yù)編程。

該傳感器由CAP1014、CAP1088、CAP1066、CAP1028、CAP1026、CAP1006和CAP1005組成，共同為設(shè)計(jì)者提供各種滑動(dòng)裝置、按鈕、臨近效應(yīng)和LED驅(qū)動(dòng)器功能。