背板和電纜多點數(shù)據(jù)傳輸調(diào)節(jié)集電極峰值電壓值

發(fā)布時間:2022/7/11 22:17:38 訪問次數(shù):313

ADN4693E-1是多點低壓差分信號(M-LVDS)收發(fā)器(驅(qū)動器和接收器對), 工作速率最高可達200 Mbps (100 MHz)不歸零(NRZ).

接收器可在該器件的共模電壓范圍內(nèi)利用低至±50 mV的差分輸入檢測總線狀態(tài).

主要用在背板和電纜多點數(shù)據(jù)傳輸,多點時鐘分配,低功耗高速替代器件,可縮短RS-485鏈路網(wǎng)絡(luò)和無線基站基礎(chǔ)設(shè)施和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和繼電器保護系統(tǒng).

這些應(yīng)用場景下，器件工作溫度可達+110 °C，相比之下，接近的競品器件為+80 °C。

根據(jù)P或N溝道管型,將測試選擇開關(guān)置PNP或NPN,將階梯極性置倒置或常態(tài)。

將被測管的D、G、s腳對應(yīng)地插入儀器的c、b、e測試端。

將Y軸電流/度置于rc合適擋級(實際為JDs值),X軸電壓/度置于σc合適擋級(實際為σDs值),按照σDs要求值,調(diào)節(jié)集電極峰值電壓值,階梯幅度/級置電壓/級的某一合適擋級,并選擇合適的功耗限制電阻。

對顯示的JDs-rD曲線讀數(shù)或記錄。

如果需顯示yGs~JD曲線,可將X軸電壓/度置于基極電流或基極源電壓擋級。

晶問管特性測試測試電路如圖15―65所示。測試選擇置NPN,階梯極性置常態(tài)。被測管的A、G、K腳對應(yīng)地插人儀器的c、b、e測試端。

Vishay Semiconductors VCNT2025X01將紅外發(fā)射器、硅光電晶體管探測器和日光阻擋濾光片裝在2.5mmx2.0mmx0.6mm小型表面貼裝封裝中，厚度低于上一代解決方案，改進了性能，提高了電流傳輸比（CTR）和工作溫度。

傳感器內(nèi)置的日光阻擋濾光片能大幅抑制雜擾的環(huán)境光，從而提高信噪比。器件牢固的FAM封裝降低串擾，易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤方便焊點光學檢查。

VCNT2025X01厚度為0.6mm，比上一代器件低0.2mm，是一種節(jié)省空間的解決方案，可用于車載電子系統(tǒng)、辦公設(shè)備和家用電器的光開關(guān)，工業(yè)自動化系統(tǒng)的光編碼，打印機和復(fù)印機的紙張檢測。