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PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術功率MOSFET

發(fā)布時間:2022/7/31 6:47:16 訪問次數(shù):73

一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET,無裸芯片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。

日常生活中使用的電能主要來自其他形式能量的轉換,包括水能(水力發(fā)電)、熱能(火力發(fā)電)、原子能(原子能發(fā)電)、風能(風力發(fā)電)、化學能(電池)及光能(光電池、太陽能電池等)等。電能也可轉換成其他所需能量形式。它可以采用有線或無線的形式進行遠距離傳輸。

氧氣的產生為基本的氧氣發(fā)生器簡圖。氧氣發(fā)生器的芯子是由氯酸鈉和鐵粉等物質混合制成的,俗稱“氧燭”。在溫度400T以下是惰性的,只有當溫度達到478°F時,氯酸鈉才釋放出其重量的45%的氣態(tài)氧,而分解所需熱量由鐵粉在化學反應過程中產生。

在實際使用中,當增壓失效,座艙高度達到14,000盤時氧氣面罩自動落下,使用者拉動面罩可使電爆式激發(fā)裝置點燃氧燭;或者通過控制駕駛艙氧氣電門,也可人工超控點燃氧燭。

當氧燭啟燃后,供氧量以預定的速度進行,供氧時間為12min(或22 min)。正常壓力為10 psi,當壓力達到50psi時,氧氣釋放活門放掉氧氣。

使用上述電路可以實現(xiàn)電機電壓的測量,由此可輕松實現(xiàn)精確的功率監(jiān)控解決方案。

非隔離多電源域(各電源域電壓不同)的應用,各個電源域共地彼此之間存在數(shù)據鏈接,彼此之間的電平需要轉換,否則高壓側向低壓側漏電,嚴重時彼此燒毀。

使用BL712X/BL714X系列數(shù)字隔離器在非隔離共地的情況下實現(xiàn)電平轉化,替代專用電平轉化芯片同樣可解決高側向低測漏電問題。

通過上文的場景描述,可以看出,數(shù)字隔離器其功能絕不僅限于“隔離”,數(shù)字隔離芯片同樣適合用于非隔離電平轉化應用。隔離器件從用途上可用于隔離接口、隔離驅動、電平轉換等。

在功率二極管方面,我們已經采用SMA/SMB/SMC整流器封裝將近30年。


一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET,無裸芯片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。

日常生活中使用的電能主要來自其他形式能量的轉換,包括水能(水力發(fā)電)、熱能(火力發(fā)電)、原子能(原子能發(fā)電)、風能(風力發(fā)電)、化學能(電池)及光能(光電池、太陽能電池等)等。電能也可轉換成其他所需能量形式。它可以采用有線或無線的形式進行遠距離傳輸。

氧氣的產生為基本的氧氣發(fā)生器簡圖。氧氣發(fā)生器的芯子是由氯酸鈉和鐵粉等物質混合制成的,俗稱“氧燭”。在溫度400T以下是惰性的,只有當溫度達到478°F時,氯酸鈉才釋放出其重量的45%的氣態(tài)氧,而分解所需熱量由鐵粉在化學反應過程中產生。

在實際使用中,當增壓失效,座艙高度達到14,000盤時氧氣面罩自動落下,使用者拉動面罩可使電爆式激發(fā)裝置點燃氧燭;或者通過控制駕駛艙氧氣電門,也可人工超控點燃氧燭。

當氧燭啟燃后,供氧量以預定的速度進行,供氧時間為12min(或22 min)。正常壓力為10 psi,當壓力達到50psi時,氧氣釋放活門放掉氧氣。

使用上述電路可以實現(xiàn)電機電壓的測量,由此可輕松實現(xiàn)精確的功率監(jiān)控解決方案。

非隔離多電源域(各電源域電壓不同)的應用,各個電源域共地彼此之間存在數(shù)據鏈接,彼此之間的電平需要轉換,否則高壓側向低壓側漏電,嚴重時彼此燒毀。

使用BL712X/BL714X系列數(shù)字隔離器在非隔離共地的情況下實現(xiàn)電平轉化,替代專用電平轉化芯片同樣可解決高側向低測漏電問題

通過上文的場景描述,可以看出,數(shù)字隔離器其功能絕不僅限于“隔離”,數(shù)字隔離芯片同樣適合用于非隔離電平轉化應用。隔離器件從用途上可用于隔離接口、隔離驅動、電平轉換等。

在功率二極管方面,我們已經采用SMA/SMB/SMC整流器封裝將近30年。


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