AAT1185一款單輸出、降壓控制器，可提供用于低成本12V適配器的高效功率變換。

通過采用研諾獨(dú)創(chuàng)的Modular BCD工藝生產(chǎn)，該款新型控制器可通過同時(shí)提供高、低側(cè)管腳來驅(qū)動(dòng)多種外部N通道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管），從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活多樣性的最大化。

12V適配器應(yīng)用的多樣性，設(shè)計(jì)師需要更高水平的設(shè)計(jì)靈活性來優(yōu)化其特殊系統(tǒng)的解決方案.

通過提供低、高側(cè)管腳驅(qū)動(dòng)各種外部MOSFET，替代將MOSFET直接嵌入到芯片中，AAT1185控制器為設(shè)計(jì)者提供兩種選擇，即在負(fù)荷端開關(guān)上采用肖特基二極管的低成本、異步解決方案，和采用各種功率MOSFET陣列的高效率同步解決方案。

在一條串行總線上，一個(gè)單一信號(hào)可能包括地址信息、控制信息、數(shù)據(jù)信息和時(shí)鐘信息；這種復(fù)雜性給設(shè)計(jì)工程師帶來了明顯的調(diào)試挑戰(zhàn)。MSO2000和DPO2000系列在一臺(tái)入門級(jí)示波器中以高度集成的串行數(shù)據(jù)觸發(fā)、協(xié)議解碼和分析功能，將問題迎刃而解。

此外，MSO2000可以在最多4條模擬通道和16條數(shù)字通道中實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)時(shí)間相關(guān)，調(diào)試嵌入式系統(tǒng)的混合信號(hào)部分。

與串行閃存或串行EEPROM不同，F(xiàn)M25V05以總線速度執(zhí)行寫操作，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲(chǔ)器陣列，并以最高每秒40Mb的速度連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。與串行閃存和串行EEPROM比較，F(xiàn)M25V05的耐用性高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)以上，且功率消耗更低。

FM25V05具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，范圍從需要寫入次數(shù)極高的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，由于串行閃存或EEPROM器件的寫入時(shí)間長而出現(xiàn)潛在的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，因此并不適用。