STSPIN32F0601系統(tǒng)級封裝是驅(qū)動三相應(yīng)用的極度集成解決方案,有助降低PCB面積和整個材料清單.器件嵌入具有ARM®32位Cortex®-M0 CPU的STM32F031x6x7和能夠驅(qū)動N溝功率MOSFET或IGBT的600V三個半橋柵極驅(qū)動器.

smartSD功能的比較器,能夠?qū)^負載和過流進行快速和有效的保護.此外在低邊和高邊驅(qū)動部分,還集成了高壓自舉二極管以及抗交叉導(dǎo)通,死區(qū)和UVLO保護,防止功率開關(guān)免除工作在低效率或危險條件.

集成的MCU允許進行FOC,6步無傳感器和其它先進的驅(qū)動算法,包括速度控制回路.高壓軌高達600V, dV/dt瞬態(tài)免疫度為±50V/ns,柵極驅(qū)動電壓范圍從9V到20V, STSPIN32F0601/Q驅(qū)動電流為200/350 mA(源/沉電流).

國產(chǎn)場效應(yīng)晶體首的命名方式,典型國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的外形及標識識讀方法.

日產(chǎn)場效應(yīng)晶體管型號標識的識別,日產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的命名方式與國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管不同,,日產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的型號標識信息一般由5個部分構(gòu)成,包括名稱、代號、類型、順序號、改進類型。

典型日產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的外形及標識識讀方法。

結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)是在一塊N型(或P型)半導(dǎo)體材料兩邊制作P型(或N型)區(qū)形成PN結(jié)所構(gòu)成的,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同可分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場效應(yīng)晶體管的外形特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(MOSFET)簡稱MOS場效應(yīng)晶體管,由金屬、氧化物、半導(dǎo)體材料制成,因其柵極與其他電極完全絕緣而得名。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管除有n溝道和P溝道之分外,還可分別根據(jù)工作方式的不同分為增強型與耗盡型。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的外形特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

場效應(yīng)品體管的電路標識，為在實際電路中,場效應(yīng)晶體管標識信息的識讀。