抖動(dòng)衰減時(shí)鐘倍頻芯片Si5315，進(jìn)一步擴(kuò)充任意速率(Any-Rate)精密時(shí)鐘系列產(chǎn)品。新器件可滿足甚至超出1G和10G同步以太網(wǎng)(SyncE)市場(chǎng)對(duì)于性能、集成度、頻率和抖動(dòng)的需求。

除支持SONET/SDH和以太網(wǎng)時(shí)鐘外， Si5315更是業(yè)界唯一可支持10G線路編碼率 (Line Encoding Rates)(161.13MHz)的同步以太網(wǎng)時(shí)鐘倍頻芯片。

此芯片無需外部鎖相環(huán)(PLL)組件，能大幅簡(jiǎn)化線卡設(shè)計(jì)以及電信級(jí)以太網(wǎng)交換路由器 (CESR)、無線回傳(Wireless Backhaul)、3G/4G基站、多重服務(wù)存取平臺(tái)、無源光纖網(wǎng)絡(luò)、IP DSLAM和T1/E1基礎(chǔ)設(shè)備中的頻率轉(zhuǎn)換。

由NPN型三極管構(gòu)成的交流小信號(hào)放大器,三極管的hfem應(yīng)選大于800的,電源經(jīng)R1和R2分壓后為基極提供偏壓(約為2v),輸入信號(hào)經(jīng)耦合電路c1加到三極管的基極。基極偏壓ub=R/(R1+R2)x12V=22`

(100+22)×12=⒉16V。如果輸入電壓為1V±0.5V,則基極輸入電壓值為1.66~2.66V。

由于三極管的基極與發(fā)射極之間的電壓固定為0.6V,則三極管發(fā)射極電壓為1.06~2.06V。

發(fā)射極電阻為1.5kΩ,可求得發(fā)射極電流re;集電極電阻為5.6kΩ,可求得集電極電壓。

集電極電壓在4.8~8V之間變化,集電極與發(fā)射極之間的電壓為1.94~6.7V。

三極管交流小信號(hào)放大器檢測(cè)環(huán)境的搭建、元器件的連接和檢測(cè)儀表的連接檢測(cè)方法。

三極管交流小信號(hào)放人器的搭建、元器件的連接和檢測(cè)儀表的連接方法,放大器的檢測(cè)可分為靜態(tài)檢測(cè)法和動(dòng)態(tài)檢測(cè)法。

以4mmx4mm、3mmx3mm或2mmx2mm封裝的兩個(gè)分立式不匹配功放，來實(shí)現(xiàn)雙流MIMO解決方案。這些分立式MIMO解決方案的板上占位面積比SE2566U大約250%。后者的高集成度可以降低材料清單成本和板上占位空間，從而節(jié)省成本。

SE2566U 內(nèi)置了一個(gè)動(dòng)態(tài)范圍為20dB的對(duì)負(fù)載不敏感的集成式功率檢測(cè)器。該檢測(cè)器采用了溫度補(bǔ)償，以獲得穩(wěn)定準(zhǔn)確的性能。最后，SE2566還集成了一個(gè)參考電壓發(fā)生器，允許直接通過基帶實(shí)現(xiàn) 1.8V CMOS數(shù)字控制，無需模擬偏置控制，而且耗電量不到1uA。