雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。

在3mmx3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制(高側(cè))和同步(低側(cè))30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench®7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷(QGD)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。

FDMC8200高側(cè)RDS(ON)通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計(jì)算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

它是利用PN結(jié)電容與反向偏置電壓的關(guān)系制成的二極管.假如給變?nèi)荻䴓O管加載正向偏置電壓,將有較大電流通過,電容變大,產(chǎn)+擴(kuò)散電容效應(yīng)c如加載反向偏置電壓,則產(chǎn)生過度電容效應(yīng)。由于在正向偏置電壓時(shí)會(huì)有漏電流產(chǎn)生,因此變?nèi)荻䴓O管一般都是工作在反向偏置電壓下。

當(dāng)變?nèi)荻䴓O管PN結(jié)上接有反向偏置電壓時(shí),隨著反向電壓增大,二極管的電容量減少,而反向電壓減少,二極管的電容量增大,從而實(shí)現(xiàn)利用電壓控制電容量的日的。在例22的晶振穩(wěn)頻無線話簡(jiǎn)的制作電路中,使用了FV1043變?nèi)荻䴓O管作為FM的信號(hào)調(diào)制。

FV 1043的檢測(cè)方法可參考前面的1N4148的檢測(cè)方法。

FDMC8200通過先進(jìn)的封裝技術(shù)和專有PowerTrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計(jì)難題。采用緊湊型高熱效3mmx3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。

同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著減少電路板空間，并提升同步降壓設(shè)計(jì)以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。